BR93LL56F概述

EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8

BR93LL56F规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	SOIC
包装说明	LSOP,
针数	8
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	100000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION = 10 YEARS
数据保留时间-最小值	10
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
长度	5 mm
内存密度	2048 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	8
字数	128 words
字数代码	128
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128X16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE
并行/串行	SERIAL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
串行总线类型	MICROWIRE
最大供电电压 (Vsup)	4 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	4.4 mm
Base Number Matches	1

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	BR93LL56F	BR6265A-10SL	BR6265A-10LL	BR6265AF-10SL	BR6265AF-10LL	BR93LL56	BR6216B-10LL
描述	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOP-8	Standard SRAM, 8KX8, CMOS, PDIP28, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDIP28, DIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28	Standard SRAM, 8KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, SOP-28	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8	Standard SRAM, 2KX8, 100ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, SKINNY, DIP-24
零件包装代码	SOIC	DIP	DIP	SOIC	SOIC	DIP	DIP
包装说明	LSOP,	DIP,	DIP,	SOP,	SOP,	DIP,	0.300 INCH, SKINNY, DIP-24
针数	8	28	28	28	28	8	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T8	R-PDIP-T24
长度	5 mm	37.1 mm	37.1 mm	18.5 mm	18.5 mm	9.3 mm	29.6 mm
内存密度	2048 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	2048 bit	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	EEPROM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	8	8	8	8	16	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	28	28	28	28	8	24
字数	128 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	128 words	2048 words
字数代码	128	8000	8000	8000	8000	128	2000
工作模式	SYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
组织	128X16	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	128X16	2KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LSOP	DIP	DIP	SOP	SOP	DIP	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	SERIAL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	4.25 mm	4.25 mm	2.3 mm	2.3 mm	3.7 mm	3.98 mm
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	5 V	5 V	5 V	5 V	3.3 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES	YES	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	4.4 mm	15.24 mm	15.24 mm	7.5 mm	7.5 mm	7.62 mm	7.62 mm
最高工作温度	85 °C	-	70 °C	-	70 °C	85 °C	70 °C
最大供电电压 (Vsup)	4 V	-	5.5 V	-	5.5 V	4 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	4.5 V	-	4.5 V	1.8 V	4.5 V
温度等级	INDUSTRIAL	-	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-
端口数量	-	1	1	1	1	-	1
可输出	-	YES	YES	YES	YES	-	YES
最小待机电流	-	2 V	2 V	2 V	2 V	-	2 V
厂商名称	-	-	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	-	ROHM(罗姆半导体)
最长访问时间	-	-	100 ns	100 ns	100 ns	-	100 ns

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