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M54HC138K1

产品描述RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING)
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小167KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M54HC138K1概述

RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING)

M54HC138K1规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DFP
包装说明DFP, FL16,.3
针数16
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
系列HCT
输入调节STANDARD
JESD-30 代码R-CDFP-F16
JESD-609代码e0
长度9.94 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型OTHER DECODER/DRIVER
最大I(ol)0.004 A
功能数量1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出极性INVERTED
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DFP
封装等效代码FL16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/6 V
最大电源电流(ICC)0.08 mA
Prop。Delay @ Nom-Su38 ns
传播延迟(tpd)45 ns
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.38 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
总剂量50k Rad(Si) V
宽度6.91 mm

M54HC138K1相似产品对比

M54HC138K1 M54HC138K M54HC138D M54HCT138 M54HCT138_04 M54HC138D1
描述 RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - - 不符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) - - ST(意法半导体)
零件包装代码 DFP DFP DIP - - DIP
包装说明 DFP, FL16,.3 DFP, FL16,.3 DIP, DIP16,.3 - - DIP, DIP16,.3
针数 16 16 16 - - 16
Reach Compliance Code _compli _compli _compli - - _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 - - EAR99
系列 HCT HCT HCT - - HCT
输入调节 STANDARD STANDARD STANDARD - - STANDARD
JESD-30 代码 R-CDFP-F16 R-CDFP-F16 R-CDIP-T16 - - R-CDIP-T16
JESD-609代码 e0 e0 e0 - - e0
长度 9.94 mm 9.94 mm 20.32 mm - - 20.32 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF - - 50 pF
逻辑集成电路类型 OTHER DECODER/DRIVER OTHER DECODER/DRIVER OTHER DECODER/DRIVER - - OTHER DECODER/DRIVER
最大I(ol) 0.004 A 0.004 A 0.004 A - - 0.004 A
功能数量 1 1 1 - - 1
端子数量 16 16 16 - - 16
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C - - 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C - - -55 °C
输出极性 INVERTED INVERTED INVERTED - - INVERTED
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED - - CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DFP DFP DIP - - DIP
封装等效代码 FL16,.3 FL16,.3 DIP16,.3 - - DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK IN-LINE - - IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
电源 2/6 V 2/6 V 2/6 V - - 2/6 V
最大电源电流(ICC) 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA - - 0.08 mA
Prop。Delay @ Nom-Su 38 ns 38 ns 38 ns - - 38 ns
传播延迟(tpd) 45 ns 45 ns 45 ns - - 45 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
座面最大高度 2.38 mm 2.38 mm 3.83 mm - - 3.83 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V - - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V - - 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V - - 5 V
表面贴装 YES YES NO - - NO
技术 CMOS CMOS CMOS - - CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY - - MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT FLAT THROUGH-HOLE - - THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm - - 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
总剂量 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V 50k Rad(Si) V - - 50k Rad(Si) V
宽度 6.91 mm 6.91 mm 7.62 mm - - 7.62 mm

 
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