RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 系列 | HCT |
| 输入调节 | STANDARD |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.32 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | OTHER DECODER/DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.004 A |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出极性 | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2/6 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.08 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 38 ns |
| 传播延迟（tpd） | 45 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.83 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 50k Rad(Si) V |
| 宽度 | 7.62 mm |
| M54HC138D | M54HC138K | M54HCT138 | M54HCT138_04 | M54HC138D1 | M54HC138K1 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) | RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) | RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) | RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) | RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) | RAD HARD 3 TO 8 LINE DECODER (INVERTING) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | - | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) | - | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | DFP | - | - | DIP | DFP |
| 包装说明 | DIP, DIP16,.3 | DFP, FL16,.3 | - | - | DIP, DIP16,.3 | DFP, FL16,.3 |
| 针数 | 16 | 16 | - | - | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli | - | - | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | - | EAR99 | EAR99 |
| 系列 | HCT | HCT | - | - | HCT | HCT |
| 输入调节 | STANDARD | STANDARD | - | - | STANDARD | STANDARD |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T16 | R-CDFP-F16 | - | - | R-CDIP-T16 | R-CDFP-F16 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | - | - | e0 | e0 |
| 长度 | 20.32 mm | 9.94 mm | - | - | 20.32 mm | 9.94 mm |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF | - | - | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | OTHER DECODER/DRIVER | OTHER DECODER/DRIVER | - | - | OTHER DECODER/DRIVER | OTHER DECODER/DRIVER |
| 最大I（ol） | 0.004 A | 0.004 A | - | - | 0.004 A | 0.004 A |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 | - | - | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | - | - | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - | - | -55 °C | -55 °C |
| 输出极性 | INVERTED | INVERTED | - | - | INVERTED | INVERTED |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DFP | - | - | DIP | DFP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | FL16,.3 | - | - | DIP16,.3 | FL16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | FLATPACK | - | - | IN-LINE | FLATPACK |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 2/6 V | 2/6 V | - | - | 2/6 V | 2/6 V |
| 最大电源电流（ICC） | 0.08 mA | 0.08 mA | - | - | 0.08 mA | 0.08 mA |
| Prop。Delay @ Nom-Su | 38 ns | 38 ns | - | - | 38 ns | 38 ns |
| 传播延迟（tpd） | 45 ns | 45 ns | - | - | 45 ns | 45 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.83 mm | 2.38 mm | - | - | 3.83 mm | 2.38 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | - | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | - | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | - | - | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | - | - | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | FLAT | - | - | THROUGH-HOLE | FLAT |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | - | - | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | - | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 总剂量 | 50k Rad(Si) V | 50k Rad(Si) V | - | - | 50k Rad(Si) V | 50k Rad(Si) V |
| 宽度 | 7.62 mm | 6.91 mm | - | - | 7.62 mm | 6.91 mm |
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