IS61LV6416L-12B,IS61LV6416L-12B pdf中文资料,IS61LV6416L-12B引脚图,IS61LV6416L-12B电路-Datasheet-电子工程世界

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IS61LV6416L-12B: 产品描述Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48; 产品类别存储存储; 文件大小75KB，共9页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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IS61LV6416L-12B概述

Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48

IS61LV6416L-12B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
零件包装代码	BGA
包装说明	6 X 8 MM, MINI, BGA-48
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0
长度	8 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	48
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA48,6X8,30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.001 A
最小待机电流	3 V
最大压摆率	0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm
Base Number Matches	1

IS61LV6416L-12B相似产品对比

	IS61LV6416L-12B	IS61LV6416L-12K	IS61LV6416L-12KI	IS61LV6416L-8B	IS61LV6416L-8K	IS61LV6416L-12T	IS61LV6416L-10B	IS61LV6416L-12BI
描述	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44	Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48	Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	SOJ	SOJ	BGA	SOJ	TSOP2	BGA	BGA
包装说明	6 X 8 MM, MINI, BGA-48	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	6 X 8 MM, MINI, BGA-48	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44	PLASTIC, TSOP2-44	6 X 8 MM, MINI, BGA-48	6 X 8 MM, MINI, BGA-48
针数	48	44	44	48	44	44	48	48
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B
最长访问时间	12 ns	12 ns	12 ns	8 ns	8 ns	12 ns	10 ns	12 ns
JESD-30 代码	R-PBGA-B48	R-PDSO-J44	R-PDSO-J44	R-PBGA-B48	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44	R-PBGA-B48	R-PBGA-B48
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	8 mm	28.58 mm	28.58 mm	8 mm	28.58 mm	18.415 mm	8 mm	8 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	44	44	48	44	44	48	48
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16	64KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	SOJ	SOJ	LFBGA	SOJ	TSOP2	LFBGA	LFBGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	3.76 mm	3.76 mm	1.35 mm	3.76 mm	1.2 mm	1.35 mm	1.35 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V	3.63 V
最小供电电压 (Vsup)	2.97 V	2.97 V	2.97 V	3.135 V	3.135 V	2.97 V	3.135 V	2.97 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	BALL	J BEND	J BEND	BALL	J BEND	GULL WING	BALL	BALL
端子节距	0.75 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.75 mm	1.27 mm	0.8 mm	0.75 mm	0.75 mm
端子位置	BOTTOM	DUAL	DUAL	BOTTOM	DUAL	DUAL	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	6 mm	10.16 mm	10.16 mm	6 mm	10.16 mm	10.16 mm	6 mm	6 mm
是否无铅	含铅	含铅	-	含铅	含铅	含铅	含铅	-
湿度敏感等级	3	3	-	3	3	3	3	-
厂商名称	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )

IS61LV6416L-12B

IS61LV6416L-12B概述

IS61LV6416L-12B规格参数

IS61LV6416L-12B相似产品对比

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