电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

MT16D832G-6X

产品描述EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
产品类别存储    存储   
文件大小446KB,共22页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

MT16D832G-6X概述

EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

MT16D832G-6X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM-72
针数72
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
JESD-609代码e0
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)235
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度25.654 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.028 A
最大压摆率0.826 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1

MT16D832G-6X相似产品对比

MT16D832G-6X MT16D832M-6 MT16D832M-6X MT16D832M-5X MT16D832G-5X MT16D832G-6
描述 EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 Fast Page DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM-72 SIMM-72 SIMM-72 SIMM-72 SIMM-72 SIMM-72
针数 72 72 72 72 72 72
Reach Compliance Code not_compliant unknow unknow unknown unknow _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE
最长访问时间 60 ns 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 268435456 bit 268435456 bi 268435456 bi 268435456 bit 268435456 bi 268435456 bi
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72 72 72
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000 8000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32 8MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) 235 235 235 225 225 235
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048 2048 2048
座面最大高度 25.654 mm 25.654 mm 25.654 mm 25.654 mm 25.654 mm 25.654 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.028 A 0.028 A 0.028 A 0.028 A 0.028 A 0.028 A
最大压摆率 0.826 mA 0.826 mA 0.826 mA 0.906 mA 0.906 mA 0.826 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30
厂商名称 - Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
湿度敏感等级 - 1 1 1 1 -
请问如何对BusHound中的URB数据进行分析?
Bus Hound 5.00 capture. Complements of www.perisoft.netDevice - Device ID (followed by the endpoint for USB devices)(34) USB Composite Device(35) PHILOG USB Serial CDC Trace (COM2)(36) PHILOG USB Seri...
jordan11151985 嵌入式系统
【平头哥RVB2601创意应用开发】使用体验09 -- YoC事件
[i=s] 本帖最后由 sonicfirr 于 2022-5-13 22:23 编辑 [/i]停滞了一段时间,继续RVB2601创意应用的开发工作。本人的创意项目需要RVB2601连接TCP Server这个Server是建立在LoRa网关设备上的,所以基本就是用RVB2601去做LoRa网关的无线式上位机。工作流程大体是:RVB2601向网关发送轮询帧,网关转发给LoRa终端,终端则采集传感器数...
sonicfirr 玄铁RISC-V活动专区
EEWORLD大学堂----深入理解比特币的安全性及程序交易安全性与相关的密码学原理
深入理解比特币的安全性及程序交易安全性与相关的密码学原理:https://training.eeworld.com.cn/course/4411主要讲解比特币安全性及程式交易安全性与相关的密码学原理...
通通 DIY/开源硬件专区
V850E/Dx3:新一代32位汽车仪表盘微控制器系列
V850E/Dx3:新一代32位汽车仪表盘微控制器系列,基于32位RISC CPU V850,包括有专用的外设,有多达6个集成步进马达控制器,驱动多达6个360度交叉线圈/步进马达,每个线圈电流高达30mA,片内LCD控制器/驱动器驱动多达160段LCD(40x4),并行8位LCD总线接口用来连接显示器,声发生器产生有可编声调频率组成的声音以及用于音量控制的PWM信号,多达16路10位ADC,多达...
frozenviolet 汽车电子
RFID信息的交互传输需要用什么通信技术
要实现广泛的物物互联,无线技术起到了至关重要的作用。射频识别(RFID)技术是一种非接触式的自动识别技术,通过射频信号自动识别对象并获取相关数据。RFID为物体贴上电子标签,实现对物品的高效灵活管理,是物联网最关键的技术之一。同时,信息的交互传输,也要利用无线通信技术。1946年2月13日是联合国电台成立日。2011年11月3日,为引起人们对无线电独特价值的重视,联合国教科文组织决定把每年的 2 ...
Aguilera RF/无线
DS18b20怎么更改分辨率
如提DS18b20 我怎么在RAM中第5位有个配置寄存器中有R1 R0为能修改传感器分辨率,但是具体不知道这个配置寄存器是怎么抄作的 旺指点!感激不尽...
q119214252 51单片机

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 61  847  917  1157  1227 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved