Memory Circuit, Flash+SRAM, 128KX16, CMOS, CQFP68, 22.40 MM, CERAMIC, QFP-68
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | 22.40 MM, CERAMIC, QFP-68 |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 120 ns |
其他特性 | SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16 OR 256K X 8; FLASH CAN ALSO BE ORGANISED AS 256K X 8 |
JESD-30 代码 | S-CQFP-G68 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 23.88 mm |
内存密度 | 2097152 bit |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 16 |
混合内存类型 | FLASH+SRAM |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 68 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX16 |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | QFP |
封装等效代码 | QFP68,.99SQ,50 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLATPACK |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.56 mm |
最大待机电流 | 0.04 A |
最大压摆率 | 0.36 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 23.88 mm |
Base Number Matches | 1 |
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