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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> CMUDM8005BKLEADFREE
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CMUDM8005BKLEADFREE

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小832KB，共3页
制造商Central Semiconductor
标准
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CMUDM8005BKLEADFREE概述

Transistor

CMUDM8005BKLEADFREE规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.65 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
表面贴装YES
Base Number Matches1

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CMUDM8005
SURFACE MOUNT SILICON
P-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUDM8005
is an enhancement-mode P-Channel MOSFET,
manufactured by the P-Channel DMOS process,
designed for high speed pulsed amplifier and driver
applications. This MOSFET offers low rDS(ON) and
low theshold voltage.
MARKING CODE: 5C8
SOT-523 CASE
APPLICATIONS:
• Load/Power switches
• Power supply converter circuits
• Battery powered portable equipment
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (Steady State - Note 1)
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Power Dissipation (Note 1)
Operating and Storage Junction Temperature
FEATURES:
•
•
•
•
•
•
ESD protection up to 1800V
(Human Body Model)
300mW power dissipation
Very low rDS(ON)
Low threshold voltage
Logic level compatible
Small, SOT-523 surface mount package
UNITS
V
V
mA
mA
A
mW
°C
SYMBOL
VDS
VGS
ID
IS
IDM
PD
TJ, Tstg
20
8.0
650
250
1.0
300
-65 to +150
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
IGSSF, IGSSR VGS=4.5V, VDS=0
IDSS
VDS=16V, VGS=0
BVDSS
VGS(th)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
VGS=0, ID=250μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=0, IS=250mA
VGS=4.5V, ID=350mA
VGS=2.5V, ID=300mA
VGS=1.8V, ID=150mA
VDS=10V, ID=200mA
VDS=16V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=16V, VGS=0, f=1.0MHz
VDS=16V, VGS=0, f=1.0MHz
0.2
25
100
21
1.13in
2
MAX
10
100
UNITS
μA
nA
V
20
0.5
1.0
1.1
0.25
0.37
0.36
0.5
0.8
V
V
Ω
Ω
Ω
S
pF
pF
pF
Notes: (1) Mounted on 2 inch square FR-4 PCB with copper mounting pad area of
R4 (5-June 2013)

CMUDM8005BKLEADFREE相似产品对比

CMUDM8005BKLEADFREE CMUDM8005TRLEADFREE CMUDM8005TR CMUDM8005BK CMUDM8005BKTIN/LEAD CMUDM8005TRTIN/LEAD
描述 Transistor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-523, 3 PIN Transistor Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant unknown unknown unknown unknown
配置 Single SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Single Single Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.65 A 0.65 A 0.65 A 0.65 A 0.65 A 0.65 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W 0.3 W
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1

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