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HGTG7N60A4

产品描述34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小531KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HGTG7N60A4概述

34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247

HGTG7N60A4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codenot_compliant
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)34 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
最大降落时间(tf)85 ns
门极发射器阈值电压最大值7 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)205 ns
标称接通时间 (ton)17 ns
Base Number Matches1

HGTG7N60A4相似产品对比

HGTG7N60A4 HGTD7N60A4S9A
描述 34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code not_compliant unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 34 A 34 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-247 TO-252AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 205 ns 205 ns
标称接通时间 (ton) 17 ns 17 ns

 
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