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HGTD7N60A4S9A

产品描述34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小531KB,共7页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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HGTD7N60A4S9A概述

34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA

HGTD7N60A4S9A规格参数

参数名称属性值
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)34 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)205 ns
标称接通时间 (ton)17 ns

HGTD7N60A4S9A相似产品对比

HGTD7N60A4S9A HGTG7N60A4
描述 34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-252AA 34A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code unknown not_compliant
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 34 A 34 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE SINGLE
JEDEC-95代码 TO-252AA TO-247
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 205 ns 205 ns
标称接通时间 (ton) 17 ns 17 ns
100分查内存泄漏
[code]bool CGPSGuidsDlg::InitMap(const WCHAR* fileName){IImagingFactory* pImagingFactory;IImage*pImage;ImageInfoimageInfo;HBITMAPhBitmap;CDC*hDC = GetDC();ASSERT(hDC != NULL);HRESULThr;bool rs = false...
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