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BYG80JT/R

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1.1A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小579KB,共14页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BYG80JT/R概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1.1A, 600V V(RRM),

BYG80JT/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流32 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流1.1 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn80Pb20)
Base Number Matches1

BYG80JT/R相似产品对比

BYG80JT/R BYG80BT/R
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1.1A, 600V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 2.4A, 100V V(RRM),
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.3 V 0.67 V
JESD-609代码 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 32 A 36 A
元件数量 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C
最大输出电流 1.1 A 2.4 A
最大重复峰值反向电压 600 V 100 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.025 µs
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20)
Base Number Matches 1 1
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