TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-3, FET RF Power
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 75 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
BLF0810-180 | BLF0810S-180 | |
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描述 | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-3, FET RF Power | TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-3, FET RF Power |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F3 | FLATPACK, R-CDFP-F3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 75 V | 75 V |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F3 | R-CDFP-F3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLATPACK |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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