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BLF0810S-180

产品描述TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-3, FET RF Power
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共16页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BLF0810S-180概述

TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-3, FET RF Power

BLF0810S-180规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLATPACK, R-CDFP-F3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压75 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFP-F3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

BLF0810S-180相似产品对比

BLF0810S-180 BLF0810-180
描述 TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-3, FET RF Power TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, CERAMIC PACKAGE-3, FET RF Power
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 FLATPACK, R-CDFP-F3 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F3
针数 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 SOURCE SOURCE
配置 SINGLE SINGLE
最小漏源击穿电压 75 V 75 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFP-F3 R-CDFM-F3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 FLAT FLAT
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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