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FP10R12YT3

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小341KB,共10页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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FP10R12YT3概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23

FP10R12YT3规格参数

参数名称属性值
厂商名称EUPEC [eupec GmbH]
包装说明MODULE-23
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)16 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
JESD-30 代码R-XUFM-X23
元件数量7
端子数量23
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)540 ns
标称接通时间 (ton)70 ns
Base Number Matches1

FP10R12YT3相似产品对比

FP10R12YT3 FP10R12YT3BOMA1
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23 Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
厂商名称 EUPEC [eupec GmbH] EUPEC [eupec GmbH]
包装说明 MODULE-23 MODULE-23
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
最大集电极电流 (IC) 16 A 16 A
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 COMPLEX COMPLEX
JESD-30 代码 R-XUFM-X23 R-XUFM-X23
元件数量 7 7
端子数量 23 23
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 540 ns 540 ns
标称接通时间 (ton) 70 ns 70 ns
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