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FP10R12YT3BOMA1: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小341KB，共10页; 制造商EUPEC [eupec GmbH]

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FP10R12YT3BOMA1概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23

FP10R12YT3BOMA1规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	EUPEC [eupec GmbH]
包装说明	MODULE-23
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	16 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	COMPLEX
JESD-30 代码	R-XUFM-X23
元件数量	7
端子数量	23
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
表面贴装	NO
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	540 ns
标称接通时间 (ton)	70 ns
Base Number Matches	1

FP10R12YT3BOMA1相似产品对比

	FP10R12YT3BOMA1	FP10R12YT3
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23	Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-23
厂商名称	EUPEC [eupec GmbH]	EUPEC [eupec GmbH]
包装说明	MODULE-23	MODULE-23
Reach Compliance Code	unknown	unknown
Is Samacsys	N	N
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	16 A	16 A
集电极-发射极最大电压	1200 V	1200 V
配置	COMPLEX	COMPLEX
JESD-30 代码	R-XUFM-X23	R-XUFM-X23
元件数量	7	7
端子数量	23	23
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
表面贴装	NO	NO
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	540 ns	540 ns
标称接通时间 (ton)	70 ns	70 ns
Base Number Matches	1	1

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