Standard SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
| 包装说明 | DIP, DIP22,.4 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T22 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 9 |
| 端子数量 | 22 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256X9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP22,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | TTL |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| 82S212/BWA-40 | 82S212/BWA | N82S212FB | N82S212NA | S82S212F/883B | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22, | Standard SRAM, 256X9, TTL, CDIP22, | Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, CDIP22 | Standard SRAM, 256X9, 45ns, TTL, PDIP22 | Standard SRAM, 256X9, 70ns, TTL, CDIP22, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | DIP, DIP22,.4 | DIP, DIP22,.4 | DIP, DIP22,.4 | DIP, DIP22,.4 | DIP, DIP22,.4 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T22 | R-XDIP-T22 | R-XDIP-T22 | R-PDIP-T22 | R-XDIP-T22 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 9 | 9 | 9 | 9 | 9 |
| 端子数量 | 22 | 22 | 22 | 22 | 22 |
| 字数 | 256 words | 256 words | 256 words | 256 words | 256 words |
| 字数代码 | 256 | 256 | 256 | 256 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 70 °C | 70 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | - | - | -55 °C |
| 组织 | 256X9 | 256X9 | 256X9 | 256X9 | 256X9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP22,.4 | DIP22,.4 | DIP22,.4 | DIP22,.4 | DIP22,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | TTL | TTL | TTL | TTL | TTL |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | - | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
| 最长访问时间 | 70 ns | - | 45 ns | 45 ns | 70 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B | - | - | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | - | - |
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