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CD74HCT4351EE4概述

Multiplexer Switch ICs Hi-Spd CMOS Anlg Mltplxr/Demltplxr

CD74HCT4351EE4规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP20,.3
针数	20
Reach Compliance Code	unknow
其他特性	ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码	R-PDIP-T20
JESD-609代码	e4
长度	25.4 mm
信道数量	8
功能数量	1
端子数量	20
标称断态隔离度	73 dB
通态电阻匹配规范	10 Ω
最大通态电阻 (Ron)	240 Ω
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP20,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大信号电流	0.025 A
最大供电电流 (Isup)	0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
最长断开时间	375 ns
最长接通时间	450 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

CD74HCT4351EE4相似产品对比

	CD74HCT4351EE4	CD74HC4352EE4	CD74HC4351MG4	CD74HC4351M96G4	CD74HC4351M96E4
描述	Multiplexer Switch ICs Hi-Spd CMOS Anlg Mltplxr/Demltplxr	Multiplexer Switch ICs High Speed CMOS Dual 4-Channel	Multiplexer Switch ICs Hi Spd CMOS Log 8-Ch Ana Multipl/Demult	Multiplexer Switch ICs Hi Spd CMOS Log 8-Ch Ana Multipl/Demult	Multiplexer Switch ICs Hi-Speed CMOS 8Anlg Mltplxr/DeMltplxr
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)	Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码	DIP	DIP	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	DIP, DIP20,.3	DIP, DIP20,.3	SOP, SOP20,.4	SOP, SOP20,.4	SOP, SOP20,.4
针数	20	20	20	20	20
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
其他特性	ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY	ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY	-	ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY	ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER	DIFFERENTIAL MULTIPLEXER	-	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER	SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码	R-PDIP-T20	R-PDIP-T20	-	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20
JESD-609代码	e4	e4	-	e4	e4
长度	25.4 mm	25.4 mm	-	12.8 mm	12.8 mm
信道数量	8	4	-	8	8
功能数量	1	1	-	1	1
端子数量	20	20	-	20	20
标称断态隔离度	73 dB	65 dB	-	73 dB	73 dB
通态电阻匹配规范	10 Ω	10 Ω	-	10 Ω	10 Ω
最大通态电阻 (Ron)	240 Ω	240 Ω	-	240 Ω	240 Ω
最高工作温度	125 °C	125 °C	-	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	-	SOP	SOP
封装等效代码	DIP20,.3	DIP20,.3	-	SOP20,.4	SOP20,.4
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	260	260
电源	5 V	2/6,GND/-6 V	-	2/6,GND/-6 V	2/6,GND/-6 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	-	2.65 mm	2.65 mm
最大信号电流	0.025 A	0.025 A	-	0.025 A	0.025 A
最大供电电流 (Isup)	0.32 mA	-	-	0.16 mA	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	6 V	-	6 V	6 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	2 V	-	2 V	2 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V
表面贴装	NO	NO	-	YES	YES
最长断开时间	375 ns	415 ns	-	375 ns	375 ns
最长接通时间	450 ns	525 ns	-	450 ns	450 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	-	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	-	MILITARY	MILITARY
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	-	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	-	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	-	7.5 mm	7.5 mm
标称负供电电压 (Vsup)	-	-4.5 V	-	-4.5 V	-4.5 V

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