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CD74HC4351M96G4

产品描述Multiplexer Switch ICs Hi Spd CMOS Log 8-Ch Ana Multipl/Demult
产品类别模拟混合信号IC    信号电路   
文件大小497KB,共23页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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CD74HC4351M96G4概述

Multiplexer Switch ICs Hi Spd CMOS Log 8-Ch Ana Multipl/Demult

CD74HC4351M96G4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP20,.4
针数20
Reach Compliance Codeunknow
其他特性ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e4
长度12.8 mm
湿度敏感等级1
标称负供电电压 (Vsup)-4.5 V
信道数量8
功能数量1
端子数量20
标称断态隔离度73 dB
通态电阻匹配规范10 Ω
最大通态电阻 (Ron)240 Ω
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP20,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/6,GND/-6 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.65 mm
最大信号电流0.025 A
最大供电电流 (Isup)0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)6 V
最小供电电压 (Vsup)2 V
标称供电电压 (Vsup)4.5 V
表面贴装YES
最长断开时间375 ns
最长接通时间450 ns
切换BREAK-BEFORE-MAKE
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.5 mm

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描述 Multiplexer Switch ICs Hi Spd CMOS Log 8-Ch Ana Multipl/Demult Multiplexer Switch ICs Hi-Spd CMOS Anlg Mltplxr/Demltplxr Multiplexer Switch ICs High Speed CMOS Dual 4-Channel Multiplexer Switch ICs Hi Spd CMOS Log 8-Ch Ana Multipl/Demult Multiplexer Switch ICs Hi-Speed CMOS 8Anlg Mltplxr/DeMltplxr
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 SOIC DIP DIP SOIC SOIC
包装说明 SOP, SOP20,.4 DIP, DIP20,.3 DIP, DIP20,.3 SOP, SOP20,.4 SOP, SOP20,.4
针数 20 20 20 20 20
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow
其他特性 ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY - ALSO OPERATES AT 2V TO 10V (VCC-VEE) SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型 SINGLE-ENDED MULTIPLEXER SINGLE-ENDED MULTIPLEXER DIFFERENTIAL MULTIPLEXER - SINGLE-ENDED MULTIPLEXER
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDIP-T20 R-PDIP-T20 - R-PDSO-G20
JESD-609代码 e4 e4 e4 - e4
长度 12.8 mm 25.4 mm 25.4 mm - 12.8 mm
标称负供电电压 (Vsup) -4.5 V - -4.5 V - -4.5 V
信道数量 8 8 4 - 8
功能数量 1 1 1 - 1
端子数量 20 20 20 - 20
标称断态隔离度 73 dB 73 dB 65 dB - 73 dB
通态电阻匹配规范 10 Ω 10 Ω 10 Ω - 10 Ω
最大通态电阻 (Ron) 240 Ω 240 Ω 240 Ω - 240 Ω
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C - -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP DIP - SOP
封装等效代码 SOP20,.4 DIP20,.3 DIP20,.3 - SOP20,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 260
电源 2/6,GND/-6 V 5 V 2/6,GND/-6 V - 2/6,GND/-6 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 2.65 mm 5.08 mm 5.08 mm - 2.65 mm
最大信号电流 0.025 A 0.025 A 0.025 A - 0.025 A
最大供电电流 (Isup) 0.16 mA 0.32 mA - - 0.16 mA
最大供电电压 (Vsup) 6 V 5.5 V 6 V - 6 V
最小供电电压 (Vsup) 2 V 4.5 V 2 V - 2 V
标称供电电压 (Vsup) 4.5 V 5 V 4.5 V - 4.5 V
表面贴装 YES NO NO - YES
最长断开时间 375 ns 375 ns 415 ns - 375 ns
最长接通时间 450 ns 450 ns 525 ns - 450 ns
切换 BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE BREAK-BEFORE-MAKE - BREAK-BEFORE-MAKE
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY - MILITARY
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
宽度 7.5 mm 7.62 mm 7.62 mm - 7.5 mm
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