Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Omnirel Corp |
包装说明 | HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 14 A |
最大漏极电流 (ID) | 9 A |
最大漏源导通电阻 | 0.415 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA |
JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
2N7227 | 2N7228 | 2N7225 | |
---|---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Omnirel Corp | Omnirel Corp | Omnirel Corp |
包装说明 | HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN | HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
其他特性 | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY | HIGH RELIABILITY |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 400 V | 500 V | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 14 A | 12 A | 27.4 A |
最大漏极电流 (ID) | 9 A | 8 A | 17 A |
最大漏源导通电阻 | 0.415 Ω | 0.515 Ω | 0.105 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA | TO-254AA | TO-254AA |
JESD-30 代码 | S-MSFM-P3 | S-MSFM-P3 | S-MSFM-P3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 150 W | 150 W | 150 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 56 A | 48 A | 110 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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