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2N7227

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小126KB,共4页
制造商Omnirel Corp
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2N7227概述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

2N7227规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Omnirel Corp
包装说明HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)14 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.415 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)56 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

2N7227相似产品对比

2N7227 2N7228 2N7225
描述 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Omnirel Corp Omnirel Corp Omnirel Corp
包装说明 HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 400 V 500 V 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 14 A 12 A 27.4 A
最大漏极电流 (ID) 9 A 8 A 17 A
最大漏源导通电阻 0.415 Ω 0.515 Ω 0.105 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3 S-MSFM-P3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W 150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 56 A 48 A 110 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1

 
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