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2N7225: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小126KB，共4页; 制造商Omnirel Corp

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2N7225概述

Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN

2N7225规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Omnirel Corp
包装说明	HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	27.4 A
最大漏极电流 (ID)	17 A
最大漏源导通电阻	0.105 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	110 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2N7225相似产品对比

	2N7225	2N7227	2N7228
描述	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 200V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 400V, 0.415ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.515ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Omnirel Corp	Omnirel Corp	Omnirel Corp
包装说明	HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN	HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN	HERMETIC SEALED, TO-254AA, 3 PIN
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V	400 V	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	27.4 A	14 A	12 A
最大漏极电流 (ID)	17 A	9 A	8 A
最大漏源导通电阻	0.105 Ω	0.415 Ω	0.515 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-254AA	TO-254AA	TO-254AA
JESD-30 代码	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3	S-MSFM-P3
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	110 A	56 A	48 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1

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