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IRF9530SMD-QR-EB

产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB, HERMEITC SEALED, SMD 1, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小21KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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IRF9530SMD-QR-EB概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-276AB, HERMEITC SEALED, SMD 1, 3 PIN

IRF9530SMD-QR-EB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.3 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-276AB
JESD-30 代码R-CBCC-N3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)48 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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