256K X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC68, PLASTIC, LCC-68
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCJ, |
| 针数 | 68 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 地址总线宽度 | 20 |
| 边界扫描 | NO |
| 外部数据总线宽度 | |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 24.2316 mm |
| 低功率模式 | YES |
| 内存组织 | 256K X 1 |
| 湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
| 区块数量 | 4 |
| 端子数量 | 68 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 24.2316 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| Base Number Matches | 1 |
这份文档是关于Rochester Electronics制造的某些电子组件的数据手册，具体来说，涉及到的是DP8420V/21V/22V-33和DP84T22-25微CMOS可编程动态随机存取存储器（DRAM）控制器/驱动器。以下是一些值得关注的技术信息：
质量认证：Rochester Electronics的组件遵循ISO-9001标准，并获得了AS9120认证，MIL-PRF-35835认证，以及Class Q Military和Space Level的Qualified Suppliers List of Distributors (QSLD)认证。
制造来源：Rochester品牌的组件使用原始供应商提供的裸晶/晶圆或根据原始IP重新创建的Rochester晶圆制造。
测试与性能保证：所有组件都使用原始工厂测试程序或Rochester开发的测试解决方案进行测试，以保证产品性能达到或超过原始组件制造商（OCM）的数据表规格。
产品特点：
接口与驱动：控制器提供高电容驱动器，用于RAS、CAS、WE和DRAM地址线。
刷新选项：支持自动内部刷新、外部控制/突发刷新和刷新请求/确认刷新。
端口访问模式：DP8422V和DP84T22支持双端口访问，允许两个CPU访问同一个DRAM阵列。
电气特性：详细列出了各种电气参数，包括输入电压、输出电压、输入泄漏电流、待机电流和供电电流。
绝对最大额定值：包括输入或输出电压、功耗、温度范围和ESD等级。
AC时序参数：提供了CLK和DELCLK时钟输入的频率、周期和脉冲宽度等参数。
功能差异：文档末尾提到了DP8420V/21V/22V, DP84T22与旧型号DP8420/21/22之间的一些功能差异。
用户提示：提供了一些有关硬件设计和编程的提示，例如输入应如何连接、需要的硬件复位步骤、以及如何根据负载变化调整时序参数。
| DP8420V-33 | DP8422VX-33 | DP8422V-33 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 | DRAM CONTROLLER, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 | 4M X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 |
| 厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
| 零件包装代码 | LCC | LCC | LCC |
| 包装说明 | QCCJ, | QCCJ, | QCCJ, |
| 针数 | 68 | 84 | 84 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 地址总线宽度 | 20 | 22 | 22 |
| 边界扫描 | NO | NO | NO |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J84 | S-PQCC-J84 |
| 长度 | 24.2316 mm | 29.3116 mm | 29.3116 mm |
| 低功率模式 | YES | NO | YES |
| 区块数量 | 4 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 68 | 84 | 84 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | QCCJ |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 5.08 mm | 5.08 mm |
| 最大供电电压 | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | QUAD |
| 宽度 | 24.2316 mm | 29.3116 mm | 29.3116 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型 | MEMORY CONTROLLER, DRAM | MEMORY CONTROLLER, DRAM | MEMORY CONTROLLER, DRAM |
| 是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 |
| 内存组织 | 256K X 1 | - | 4M X 1 |
| 湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 端子面层 | TIN LEAD | - | TIN LEAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
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