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DP8422VX-33

产品描述DRAM CONTROLLER, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小3MB,共59页
制造商Rochester Electronics
官网地址https://www.rocelec.com/
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DP8422VX-33概述

DRAM CONTROLLER, PQCC84, PLASTIC, LCC-84

DP8422VX-33规格参数

参数名称属性值
厂商名称Rochester Electronics
零件包装代码LCC
包装说明QCCJ,
针数84
Reach Compliance Codeunknown
地址总线宽度22
边界扫描NO
外部数据总线宽度
JESD-30 代码S-PQCC-J84
长度29.3116 mm
低功率模式NO
区块数量4
端子数量84
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压5.5 V
最小供电电压4.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
宽度29.3116 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型MEMORY CONTROLLER, DRAM

文档解析

Rochester Electronics的DRAM控制器/驱动器,如文档中提到的DP8420V/21V/22V和DP84T22,是为需要高性能和高可靠性的应用而设计的。这些控制器具备多种特性,使它们在以下应用场景中表现最佳:

  1. 嵌入式系统:这些控制器适用于需要精确控制和优化内存访问的嵌入式系统,尤其是在空间受限或对功耗有严格要求的环境中。

  2. 工业控制:在工业自动化和控制领域,这些控制器可以提供稳定和可靠的内存管理,确保工业设备长期稳定运行。

  3. 航空航天:由于Rochester Electronics的组件符合严格的质量标准,如ISO-9001、AS9120和MIL-PRF-35835,这些控制器适合用于航空航天领域,这些领域对组件的质量和可靠性有极高的要求。

  4. 军事和国防:军事和国防应用通常需要能够在极端环境下运行的电子组件。这些控制器的制造和测试遵循军事标准,使其非常适合这些应用。

  5. 通信设备:在通信基础设施中,如基站和交换设备,这些控制器可以提供所需的数据处理能力和可靠性。

  6. 医疗设备:医疗设备经常需要精确的数据处理和高可靠性,这些控制器能够满足这些要求。

  7. 数据中心和服务器:虽然现代数据中心和服务器可能使用更先进的内存技术,但这些控制器仍然可以在某些特定的服务器应用中发挥作用,尤其是在需要使用特定类型DRAM或需要与旧系统兼容的情况下。

  8. 测试和仿真:在需要模拟特定内存行为或进行硬件测试的场合,这些控制器可以提供灵活的配置选项以满足测试需求。

  9. 汽车电子:随着汽车行业向智能化和自动化发展,这些控制器可以用于车载信息娱乐系统、自动驾驶系统等。

  10. 遗留系统维护:对于需要维护和更新旧有系统的应用,这些控制器可以提供与旧系统兼容的解决方案。

Rochester Electronics的DRAM控制器/驱动器因其高质量标准、灵活性和可靠性,在需要确保数据完整性和系统稳定性的应用中特别有用。

DP8422VX-33相似产品对比

DP8422VX-33 DP8420V-33 DP8422V-33
描述 DRAM CONTROLLER, PQCC84, PLASTIC, LCC-84 256K X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC68, PLASTIC, LCC-68 4M X 1, DRAM CONTROLLER, PQCC84, PLASTIC, LCC-84
厂商名称 Rochester Electronics Rochester Electronics Rochester Electronics
零件包装代码 LCC LCC LCC
包装说明 QCCJ, QCCJ, QCCJ,
针数 84 68 84
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
地址总线宽度 22 20 22
边界扫描 NO NO NO
JESD-30 代码 S-PQCC-J84 S-PQCC-J68 S-PQCC-J84
长度 29.3116 mm 24.2316 mm 29.3116 mm
低功率模式 NO YES YES
区块数量 4 4 4
端子数量 84 68 84
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QCCJ QCCJ QCCJ
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD
宽度 29.3116 mm 24.2316 mm 29.3116 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 MEMORY CONTROLLER, DRAM MEMORY CONTROLLER, DRAM MEMORY CONTROLLER, DRAM
是否无铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
JESD-609代码 - e0 e0
内存组织 - 256K X 1 4M X 1
湿度敏感等级 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
端子面层 - TIN LEAD TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

 
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