EDD5108ADTA-6BTI,EDD5108ADTA-6BTI pdf中文资料,EDD5108ADTA-6BTI引脚图,EDD5108ADTA-6BTI电路-Datasheet-电子工程世界

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EDD5108ADTA-6BTI: 产品描述512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range); 产品类别存储存储; 文件大小523KB，共49页; 制造商ELPIDA; 官网地址http://www.elpida.com/en

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EDD5108ADTA-6BTI概述

512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

EDD5108ADTA-6BTI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ELPIDA
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	66
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e0
长度	22.22 mm
内存密度	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	67108864 words
字数代码	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	235
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm

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描述	512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)	512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)	512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)	512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)	512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)	512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)	512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	-	不符合
厂商名称	ELPIDA	-	ELPIDA	ELPIDA	ELPIDA	-	ELPIDA
零件包装代码	TSOP2	-	TSOP2	TSOP2	TSOP2	-	TSOP2
包装说明	TSOP2,	-	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	-	TSOP2,
针数	66	-	66	66	66	-	66
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	-	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	-	0.75 ns	0.75 ns	0.7 ns	-	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	-	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	-	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	-	e0
长度	22.22 mm	-	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	-	22.22 mm
内存密度	536870912 bi	-	536870912 bi	536870912 bi	536870912 bi	-	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	-	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	-	DDR DRAM
内存宽度	8	-	16	16	16	-	8
功能数量	1	-	1	1	1	-	1
端口数量	1	-	1	1	1	-	1
端子数量	66	-	66	66	66	-	66
字数	67108864 words	-	33554432 words	33554432 words	33554432 words	-	67108864 words
字数代码	64000000	-	32000000	32000000	32000000	-	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C	-	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-	-40 °C
组织	64MX8	-	32MX16	32MX16	32MX16	-	64MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	-	TSOP2	TSOP2	TSOP2	-	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	235	-	235	235	235	-	235
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm
自我刷新	YES	-	YES	YES	YES	-	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	-	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	-	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING	-	GULL WING
端子节距	0.65 mm	-	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	-	0.65 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	-	10.16 mm

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