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EDD5116ADTA-6BTI

产品描述512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
产品类别存储    存储   
文件大小523KB,共49页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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EDD5116ADTA-6BTI概述

512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)

EDD5116ADTA-6BTI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSSOP66,.46
针数66
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G66
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度536870912 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量66
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSSOP66,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)235
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度2,4,8
最大待机电流0.003 A
最大压摆率0.53 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

EDD5116ADTA-6BTI相似产品对比

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描述 512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range) 512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range) 512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range) 512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range) 512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range) 512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range) 512M bits DDR SDRAM WTR (Wide Temperature Range)
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 ELPIDA - ELPIDA ELPIDA - ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 TSOP2 - TSOP2 TSOP2 - TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSSOP66,.46 - TSOP2, TSSOP66,.46 TSOP2, TSSOP66,.46 - TSOP2, TSOP2,
针数 66 - 66 66 - 66 66
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns - 0.75 ns 0.75 ns - 0.75 ns 0.7 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G66 - R-PDSO-G66 R-PDSO-G66 - R-PDSO-G66 R-PDSO-G66
JESD-609代码 e0 - e0 e0 - e0 e0
长度 22.22 mm - 22.22 mm 22.22 mm - 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 536870912 bi - 536870912 bi 536870912 bi - 536870912 bi 536870912 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM - DDR DRAM DDR DRAM - DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 - 16 16 - 8 8
功能数量 1 - 1 1 - 1 1
端口数量 1 - 1 1 - 1 1
端子数量 66 - 66 66 - 66 66
字数 33554432 words - 33554432 words 33554432 words - 67108864 words 67108864 words
字数代码 32000000 - 32000000 32000000 - 64000000 64000000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C 85 °C - 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C
组织 32MX16 - 32MX16 32MX16 - 64MX8 64MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 - TSOP2 TSOP2 - TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) 235 - 235 235 - 235 235
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES - YES YES - YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V - 2.7 V 2.7 V - 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V - 2.3 V 2.3 V - 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V - 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES - YES YES - YES YES
技术 CMOS - CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL - INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING - GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm - 0.65 mm 0.65 mm - 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.16 mm - 10.16 mm 10.16 mm - 10.16 mm 10.16 mm

 
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