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GBU15005

产品描述3.2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小181KB,共2页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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GBU15005概述

3.2 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

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GBU15005
Elektronische Bauelemente
THRU
GBU1510
VOLTAGE 50V ~ 1000V
15.0
AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen-free.
GBU
3.2x3.2
CHAMFER
.139(3.53)
.133(3.37)
10
TYP
O
.874(22.2)
.860(21.8)
.160(4.1)
.140(3.5)
5
TYP
O
.752(19.1)
.720(18.3)
FEATURES
.083(2.1)
.067(1.7)
.232(5.9)
.224(5.7)
*
Surge Overload Rating -220~350 Amperes Peak
*
I deal For Printed Circuit Board
Reliable Low Cost
*
Plastic Technique Construction Utilizing Molded
Plastic Material Has Underw rites
*
Flammability Classification 94V-0 Laboratory
.720(18.29)
.680(17.27)
.100(2.54)
.085(2.16)
.080(2.03)
.068(1.65)
.210
.210
.190
.190
(5.33) (5.33)
(4.83) (4.83)
.210
.190
(5.33)
(4.83)
.083(2.1)
.075(1.9)
.022(0.56)
.018(0.46)
*
Mounting Position: Any
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating 25 C ambient temperature unless otherwise specified
.
Resistive or inductive load, 60Hz,
For capacitive load, derate current by 20%.
o
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)
Rectified Current
@ T
C
=100  (without heatsink)
C
o
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
GBU
15005
50
30
50
GBU
1501
100
70
100
GBU
1502
200
140
200
GBU
1504
400
280
400
15
3.2
240
1.1
10.0
500
200
70
2.2
-55 to +150
-55 to +150
GBU
1506
600
420
600
GBU
1508
800
560
800
GBU
1510
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)
Maximum Forward Voltage at 5.0/7.5/12.5A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
I
2
t Rating for Fusing (t<8.3ms)
Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)
Typical Thermal Resistance (Note2)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
@ T
J
=25 
C
@ T
J
=125 
C
o
o
I
FSM
V
F
I
R
I
2
t
C
J
R
θ
JC
T
J
T
STG
A
V
uA
A
2
s
pF
o
 
/W
C
o
o
 
C
 
C
NOTES:
1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Device mounted on 100mm x 100mm x 1.6mm Cu Plate Heatsink.
ht t p:/ /www. SeCoSGmbH. com/
Any changing of specification will not be informed individual
01-Jun-2002 Rev. A
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