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HB52D328DC-A6BL

产品描述256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (8 pcs of 16 M 】 16 components) PC100 SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小142KB,共24页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HB52D328DC-A6BL概述

256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (8 pcs of 16 M 】 16 components) PC100 SDRAM

HB52D328DC-A6BL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM144,32
针数144
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N144
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量144
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度65 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.016 A
最大压摆率1 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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HB52D328DC-B
256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM
32-Mword
×
64-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module
(8 pcs of 16 M
×
16 components)
PC100 SDRAM
E0084H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1188A (Z))
Jan. 31, 2001
Description
The HB52D328DC is a 16M
×
64
×
2 banks Synchronous Dynamic RAM Small Outline Dual In-line
Memory Module (S.O.DIMM), mounted 8 pieces of 256-Mbit SDRAM (HM5225165BTT) sealed in TSOP
package and 1 piece of serial EEPROM (2-kbit) for Presence Detect (PD). An outline of the product is 144-
pin Zig Zag Dual tabs socket type compact and thin package. Therefore, it makes high density mounting
possible without surface mount technology. It provides common data inputs and outputs. Decoupling
capacitors are mounted beside TSOP on the module board.
Features
Fully compatible with : JEDEC standard outline 8-byte S.O.DIMM
: Intel PCB Reference design (Rev.1.0)
144-pin Zig Zag Dual tabs socket type (dual lead out)
Outline: 67.60 mm (Length)
×
31.75 mm (Height)
×
3.80 mm (Thickness)
Lead pitch: 0.80 mm
3.3 V power supply
Clock frequency: 100 MHz (max)
LVTTL interface
Data bus width:
×
64 Non parity
Single pulsed
RAS
4 Banks can operates simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length : 1/2/4/8
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.

HB52D328DC-A6BL相似产品对比

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描述 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (8 pcs of 16 M 】 16 components) PC100 SDRAM 256 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 32-Mword 】 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module (8 pcs of 16 M 】 16 components) PC100 SDRAM

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