Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HN58C1001T-15E

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HN58C1001T-15E: 产品描述128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32; 产品类别存储存储; 文件大小223KB，共24页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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HN58C1001T-15E概述

128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32

128K × 8 电可擦除只读存储器 5V, 150 ns, PDSO32

HN58C1001T-15E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数	32
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
长度	12.4 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP32,.56,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	128 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00002 A
最大压摆率	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
宽度	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

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HN58C1001 Series

1M EEPROM (128-kword

8-bit)

Ready/Busy and

RES

function

REJ03C0145-0800Z

(Previous ADE-203-028G (Z) Rev.7.0)

Rev. 8.00

Nov. 27. 2003

Description

Renesas Technology

HN58C1001 is an electrically erasable and programmable ROM organized as 131072-

word

8-bit. It has realized high speed, low power consumption and high reliability by employing advanced

MNOS memory technology and CMOS process and circuitry technology. It also has a 128-byte page

programming function to make the write operations faster.

Features

•

Single supply: 5.0 V

10%

•

Access time: 150 ns (max)

•

Power dissipation



Active: 20 mW/MHz, (typ)

Standby: 110

µW

(max)

•

On-chip latches: address, data,

CE, OE, WE

•

Automatic byte write: 10 ms (max)

•

Automatic page write (128 bytes): 10 ms (max)

•

Data

polling and RDY/Busy

•

Data protection circuit on power on/off

•

Conforms to JEDEC byte-wide standard

•

Reliable CMOS with MNOS cell technology

•

10 erase/write cycles (in page mode)

•

10 years data retention

•

Software data protection

•

Write protection by

RES

•

There are also lead free products.

Rev.8.00, Nov. 27.2003, page 1 of 21

HN58C1001T-15E相似产品对比

	HN58C1001T-15E	HN58C1001FP-15	HN58C1001	HN58C1001T-15	HN58C1001FP-15E
描述	128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32	128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32	128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32	128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32	128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32
内存宽度	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32
组织	128KX8	128KX8	128K × 8	128KX8	128KX8
表面贴装	YES	YES	Yes	YES	YES
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	双	DUAL	DUAL
是否无铅	不含铅	含铅	-	含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	-	不符合	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	TSOP	SOIC	-	TSOP	SOIC
包装说明	TSSOP, TSSOP32,.56,20	0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32	-	8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32	SOP, SOP32,.56
针数	32	32	-	32	32
Reach Compliance Code	unknow	unknow	-	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
最长访问时间	150 ns	150 ns	-	150 ns	150 ns
命令用户界面	NO	NO	-	NO	NO
数据轮询	YES	YES	-	YES	YES
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	-	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
长度	12.4 mm	20.45 mm	-	12.4 mm	20.45 mm
内存密度	1048576 bi	1048576 bi	-	1048576 bi	1048576 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	-	EEPROM	EEPROM
字数	131072 words	131072 words	-	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	-	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	SOP	-	TSSOP	SOP
封装等效代码	TSSOP32,.56,20	SOP32,.56	-	TSSOP32,.56,20	SOP32,.56
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE
页面大小	128 words	128 words	-	128 words	128 words
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	255
电源	5 V	5 V	-	5 V	5 V
编程电压	5 V	5 V	-	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	YES	-	YES	YES
座面最大高度	1.2 mm	3 mm	-	1.2 mm	3 mm
最大待机电流	0.00002 A	0.00002 A	-	0.00002 A	0.00002 A
最大压摆率	0.05 mA	0.05 mA	-	0.05 mA	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	-	5 V	5 V
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS
端子节距	0.5 mm	1.27 mm	-	0.5 mm	1.27 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	16
切换位	YES	YES	-	YES	YES
宽度	8 mm	11.3 mm	-	8 mm	11.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	10 ms	-	10 ms	10 ms
JESD-609代码	-	e0	-	e0	e4
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	NICKEL PALLADIUM GOLD

HN58C1001T-15E

HN58C1001T-15E概述

HN58C1001T-15E规格参数

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