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HN58C1001FP-15E

产品描述128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32
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文件大小223KB,共24页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准
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HN58C1001FP-15E概述

128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32

128K × 8 电可擦除只读存储器 5V, 150 ns, PDSO32

HN58C1001FP-15E规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP32,.56
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
命令用户界面NO
数据轮询YES
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e4
长度20.45 mm
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
页面大小128 words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)255
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间16
切换位YES
宽度11.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms

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HN58C1001 Series
1M EEPROM (128-kword
×
8-bit)
Ready/Busy and
RES
function
REJ03C0145-0800Z
(Previous ADE-203-028G (Z) Rev.7.0)
Rev. 8.00
Nov. 27. 2003
Description
Renesas Technology
's
HN58C1001 is an electrically erasable and programmable ROM organized as 131072-
word
×
8-bit. It has realized high speed, low power consumption and high reliability by employing advanced
MNOS memory technology and CMOS process and circuitry technology. It also has a 128-byte page
programming function to make the write operations faster.
Features
Single supply: 5.0 V
±
10%
Access time: 150 ns (max)
Power dissipation
Active: 20 mW/MHz, (typ)
Standby: 110
µW
(max)
On-chip latches: address, data,
CE, OE, WE
Automatic byte write: 10 ms (max)
Automatic page write (128 bytes): 10 ms (max)
Data
polling and RDY/Busy
Data protection circuit on power on/off
Conforms to JEDEC byte-wide standard
Reliable CMOS with MNOS cell technology
10 erase/write cycles (in page mode)
4
10 years data retention
Software data protection
Write protection by
RES
pin
There are also lead free products.
Rev.8.00, Nov. 27.2003, page 1 of 21

HN58C1001FP-15E相似产品对比

HN58C1001FP-15E HN58C1001FP-15 HN58C1001 HN58C1001T-15 HN58C1001T-15E
描述 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32
组织 128KX8 128KX8 128K × 8 128KX8 128KX8
表面贴装 YES YES Yes YES YES
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
是否无铅 不含铅 含铅 - 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 - 不符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子) - Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 SOIC SOIC - TSOP TSOP
包装说明 SOP, SOP32,.56 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 - 8 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-32 TSSOP, TSSOP32,.56,20
针数 32 32 - 32 32
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 150 ns - 150 ns 150 ns
命令用户界面 NO NO - NO NO
数据轮询 YES YES - YES YES
JESD-30 代码 R-PDSO-G32 R-PDSO-G32 - R-PDSO-G32 R-PDSO-G32
JESD-609代码 e4 e0 - e0 -
长度 20.45 mm 20.45 mm - 12.4 mm 12.4 mm
内存密度 1048576 bi 1048576 bi - 1048576 bi 1048576 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM - EEPROM EEPROM
字数 131072 words 131072 words - 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 - 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP - TSSOP TSSOP
封装等效代码 SOP32,.56 SOP32,.56 - TSSOP32,.56,20 TSSOP32,.56,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小 128 words 128 words - 128 words 128 words
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 255 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V - 5 V 5 V
编程电压 5 V 5 V - 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
就绪/忙碌 YES YES - YES YES
座面最大高度 3 mm 3 mm - 1.2 mm 1.2 mm
最大待机电流 0.00002 A 0.00002 A - 0.00002 A 0.00002 A
最大压摆率 0.05 mA 0.05 mA - 0.05 mA 0.05 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V 5 V
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - 0.5 mm 0.5 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 16 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 YES YES - YES YES
宽度 11.3 mm 11.3 mm - 8 mm 8 mm
最长写入周期时间 (tWC) 10 ms 10 ms - 10 ms 10 ms
电路分析问题
本人初学电路 U28是反相器 S1S2是信号线 请问C48 C49 R59 R60起的什么作用啊 R59 R60接地 本帖最后由 1`` 于 2011-8-23 08:57 编辑 ]...
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