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1N950B

产品描述Variable Capacitance Diode, 35pF C(T),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小7KB,共1页
制造商Cobham PLC
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1N950B概述

Variable Capacitance Diode, 35pF C(T),

1N950B规格参数

参数名称属性值
Reach Compliance Codeunknown
标称二极管电容35 pF
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
最小质量因数39
最大重复峰值反向电压130 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

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K
NOX
S
EMICONDUCTOR,
I
NC.
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES
1N950 - 1N956
TYPE
NUMBER
1N950
1N951
1N952
1N953
1N954
1N955
1N956
CAPACITANCE
@ - 4 Vdc
35
50
70
100
35
50
70
CAPACITANCE
RANGE
0.1 Vdc to MWV
6-88
12-120
20-270
46-240
14-88
22-120
33-120
QUALITY FACTOR
Q @ - 4 Vdc, f = 50 MHz
MIN
TYP
7
39
7
36
7
30
7
23
7
20
7
20
7
20
REVERSE
VOLTAGE
@ 100 µA
150
100
75
30
30
30
30
MAX
WORKING
VOLTAGE
130
80
60
25
25
25
25
Package Style
DC Power Dissipation
Operating Temperature (Topr)
Storage Temperature (Tstg)
Max Reverse Current (I
R
)
Capacitance Tolerance:
@ 25°C (Pd)
@ MWV
Standard
Suffix A
Suffix B
DO-7
400 mW
-65 to +150°C
-65 to +200°C
1.0 µAdc
±20%
±10%
±5%
P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856
• 207•236•6076
FAX 207•236•9558
-22-

1N950B相似产品对比

1N950B 1N951A 1N952B 1N953B 1N955 1N952 1N952A
描述 Variable Capacitance Diode, 35pF C(T), Variable Capacitance Diode, 50pF C(T), 100V, Silicon, Abrupt, DO-7 Variable Capacitance Diode, 70pF C(T), Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 Variable Capacitance Diode, 50pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 Variable Capacitance Diode, 70pF C(T), 75V, Silicon, Abrupt, DO-7 Variable Capacitance Diode, 70pF C(T),
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
标称二极管电容 35 pF 50 pF 70 pF 100 pF 50 pF 70 pF 70 pF
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
最小质量因数 39 7 30 7 7 7 7
最大重复峰值反向电压 130 V 80 V 60 V 25 V 25 V 60 V 60 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1
是否Rohs认证 - 不符合 - 不符合 不符合 不符合 -
包装说明 - O-LALF-W2 - O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 -
ECCN代码 - EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 -
最小击穿电压 - 100 V - 30 V 30 V 75 V -
外壳连接 - ISOLATED - ISOLATED ISOLATED ISOLATED -
配置 - SINGLE - SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管电容容差 - 10% - 5% 20% 20% -
最小二极管电容比 - 10 - 5.2174 5.4545 13.5 -
二极管元件材料 - SILICON - SILICON SILICON SILICON -
JEDEC-95代码 - DO-7 - DO-7 DO-7 DO-7 -
JESD-30 代码 - O-LALF-W2 - O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 -
JESD-609代码 - e0 - e0 e0 e0 -
元件数量 - 1 - 1 1 1 -
端子数量 - 2 - 2 2 2 -
最高工作温度 - 150 °C - 150 °C 150 °C 150 °C -
最低工作温度 - -65 °C - -65 °C -65 °C -65 °C -
封装主体材料 - GLASS - GLASS GLASS GLASS -
封装形状 - ROUND - ROUND ROUND ROUND -
封装形式 - LONG FORM - LONG FORM LONG FORM LONG FORM -
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
最大功率耗散 - 0.4 W - 0.4 W 0.4 W 0.4 W -
认证状态 - Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大反向电流 - 0.000001 µA - 0.000001 µA 0.000001 µA 0.000001 µA -
反向测试电压 - 80 V - 25 V 25 V 60 V -
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) -
端子形式 - WIRE - WIRE WIRE WIRE -
端子位置 - AXIAL - AXIAL AXIAL AXIAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
变容二极管分类 - ABRUPT - ABRUPT ABRUPT ABRUPT -
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