Variable Capacitance Diode, 50pF C(T), 100V, Silicon, Abrupt, DO-7
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最小击穿电压 | 100 V |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管电容容差 | 10% |
| 最小二极管电容比 | 10 |
| 标称二极管电容 | 50 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-7 |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | GLASS |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 0.4 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小质量因数 | 7 |
| 最大重复峰值反向电压 | 80 V |
| 最大反向电流 | 0.000001 µA |
| 反向测试电压 | 80 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 变容二极管分类 | ABRUPT |
| Base Number Matches | 1 |
| 1N951A | 1N952B | 1N953B | 1N955 | 1N952 | 1N952A | 1N950B | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Variable Capacitance Diode, 50pF C(T), 100V, Silicon, Abrupt, DO-7 | Variable Capacitance Diode, 70pF C(T), | Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | Variable Capacitance Diode, 50pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | Variable Capacitance Diode, 70pF C(T), 75V, Silicon, Abrupt, DO-7 | Variable Capacitance Diode, 70pF C(T), | Variable Capacitance Diode, 35pF C(T), |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 标称二极管电容 | 50 pF | 70 pF | 100 pF | 50 pF | 70 pF | 70 pF | 35 pF |
| 二极管类型 | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| 最小质量因数 | 7 | 30 | 7 | 7 | 7 | 7 | 39 |
| 最大重复峰值反向电压 | 80 V | 60 V | 25 V | 25 V | 60 V | 60 V | 130 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO | NO | NO |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 | - | - |
| 包装说明 | O-LALF-W2 | - | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | - | - |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | - |
| 最小击穿电压 | 100 V | - | 30 V | 30 V | 75 V | - | - |
| 外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED | - | - |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | - |
| 二极管电容容差 | 10% | - | 5% | 20% | 20% | - | - |
| 最小二极管电容比 | 10 | - | 5.2174 | 5.4545 | 13.5 | - | - |
| 二极管元件材料 | SILICON | - | SILICON | SILICON | SILICON | - | - |
| JEDEC-95代码 | DO-7 | - | DO-7 | DO-7 | DO-7 | - | - |
| JESD-30 代码 | O-LALF-W2 | - | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | O-LALF-W2 | - | - |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 | - | - |
| 元件数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | - | - |
| 端子数量 | 2 | - | 2 | 2 | 2 | - | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - | - |
| 最低工作温度 | -65 °C | - | -65 °C | -65 °C | -65 °C | - | - |
| 封装主体材料 | GLASS | - | GLASS | GLASS | GLASS | - | - |
| 封装形状 | ROUND | - | ROUND | ROUND | ROUND | - | - |
| 封装形式 | LONG FORM | - | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM | - | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - |
| 最大功率耗散 | 0.4 W | - | 0.4 W | 0.4 W | 0.4 W | - | - |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | - |
| 最大反向电流 | 0.000001 µA | - | 0.000001 µA | 0.000001 µA | 0.000001 µA | - | - |
| 反向测试电压 | 80 V | - | 25 V | 25 V | 60 V | - | - |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - |
| 端子形式 | WIRE | - | WIRE | WIRE | WIRE | - | - |
| 端子位置 | AXIAL | - | AXIAL | AXIAL | AXIAL | - | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - |
| 变容二极管分类 | ABRUPT | - | ABRUPT | ABRUPT | ABRUPT | - | - |
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