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1N953B: 产品描述Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小7KB，共1页; 制造商Cobham PLC

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1N953B概述

Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7

1N953B规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	30 V
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管电容容差	5%
最小二极管电容比	5.2174
标称二极管电容	100 pF
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码	DO-7
JESD-30 代码	O-LALF-W2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
最大功率耗散	0.4 W
认证状态	Not Qualified
最小质量因数	7
最大重复峰值反向电压	25 V
最大反向电流	0.000001 µA
反向测试电压	25 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
变容二极管分类	ABRUPT
Base Number Matches	1

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NOX

EMICONDUCTOR,

NC.

GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES

1N950 - 1N956

TYPE

NUMBER

1N950

1N951

1N952

1N953

1N954

1N955

1N956

CAPACITANCE

@ - 4 Vdc

100

CAPACITANCE

RANGE

0.1 Vdc to MWV

6-88

12-120

20-270

46-240

14-88

22-120

33-120

QUALITY FACTOR

Q @ - 4 Vdc, f = 50 MHz

MIN

TYP

REVERSE

VOLTAGE

@ 100 µA

150

100

MAX

WORKING

VOLTAGE

130

Package Style

DC Power Dissipation

Operating Temperature (Topr)

Storage Temperature (Tstg)

Max Reverse Current (I

)

Capacitance Tolerance:

@ 25°C (Pd)

@ MWV

Standard

Suffix A

Suffix B

DO-7

400 mW

-65 to +150°C

-65 to +200°C

1.0 µAdc

±20%

±10%

±5%

P.O. BOX 609 • ROCKPORT, MAINE 04856

• 207•236•6076

•

FAX 207•236•9558

-22-

1N953B相似产品对比

	1N953B	1N951A	1N952B	1N955	1N952	1N952A	1N950B
描述	Variable Capacitance Diode, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7	Variable Capacitance Diode, 50pF C(T), 100V, Silicon, Abrupt, DO-7	Variable Capacitance Diode, 70pF C(T),	Variable Capacitance Diode, 50pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7	Variable Capacitance Diode, 70pF C(T), 75V, Silicon, Abrupt, DO-7	Variable Capacitance Diode, 70pF C(T),	Variable Capacitance Diode, 35pF C(T),
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
标称二极管电容	100 pF	50 pF	70 pF	50 pF	70 pF	70 pF	35 pF
二极管类型	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE	VARIABLE CAPACITANCE DIODE
最小质量因数	7	7	30	7	7	7	39
最大重复峰值反向电压	25 V	80 V	60 V	25 V	60 V	60 V	130 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	-	-
包装说明	O-LALF-W2	O-LALF-W2	-	O-LALF-W2	O-LALF-W2	-	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	-	-
最小击穿电压	30 V	100 V	-	30 V	75 V	-	-
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	-	ISOLATED	ISOLATED	-	-
配置	SINGLE	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	-	-
二极管电容容差	5%	10%	-	20%	20%	-	-
最小二极管电容比	5.2174	10	-	5.4545	13.5	-	-
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	-	-
JEDEC-95代码	DO-7	DO-7	-	DO-7	DO-7	-	-
JESD-30 代码	O-LALF-W2	O-LALF-W2	-	O-LALF-W2	O-LALF-W2	-	-
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	-	-
元件数量	1	1	-	1	1	-	-
端子数量	2	2	-	2	2	-	-
最高工作温度	150 °C	150 °C	-	150 °C	150 °C	-	-
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-	-65 °C	-65 °C	-	-
封装主体材料	GLASS	GLASS	-	GLASS	GLASS	-	-
封装形状	ROUND	ROUND	-	ROUND	ROUND	-	-
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	-	LONG FORM	LONG FORM	-	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
最大功率耗散	0.4 W	0.4 W	-	0.4 W	0.4 W	-	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	-	-
最大反向电流	0.000001 µA	0.000001 µA	-	0.000001 µA	0.000001 µA	-	-
反向测试电压	25 V	80 V	-	25 V	60 V	-	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-
端子形式	WIRE	WIRE	-	WIRE	WIRE	-	-
端子位置	AXIAL	AXIAL	-	AXIAL	AXIAL	-	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	-
变容二极管分类	ABRUPT	ABRUPT	-	ABRUPT	ABRUPT	-	-

1N953B

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