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1N3659R

产品描述30A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小64KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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1N3659R概述

30A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21

1N3659R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明O-MUPF-P1
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-21
JESD-30 代码O-MUPF-P1
最大非重复峰值正向电流400 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流30 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式PRESS FIT
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流5000 µA
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

1N3659R相似产品对比

1N3659R 1N3659 LM3S8733-EQC80-A2T 1N3663R 1N3660
描述 30A, 50V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21 Stellaris® LM3S8733 Microcontroller 30 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21 30A, 100V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-21
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) - Motorola ( NXP ) -
包装说明 O-MUPF-P1 O-MUPF-P1 - O-MUPF-P1 O-MUPF-P1
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown unknown
Is Samacsys N N - N -
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ANODE CATHODE - ANODE CATHODE
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V - 1.2 V 1.2 V
JEDEC-95代码 DO-21 DO-21 - DO-21 DO-21
JESD-30 代码 O-MUPF-P1 O-MUPF-P1 - O-MUPF-P1 O-MUPF-P1
最大非重复峰值正向电流 400 A 400 A - 400 A 400 A
元件数量 1 1 - 1 1
相数 1 1 - 1 1
端子数量 1 1 - 1 1
最高工作温度 175 °C 175 °C - 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C - -65 °C -65 °C
最大输出电流 30 A 30 A - 30 A 30 A
封装主体材料 METAL METAL - METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND - ROUND ROUND
封装形式 PRESS FIT PRESS FIT - PRESS FIT PRESS FIT
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 50 V 50 V - 400 V 100 V
最大反向电流 5000 µA 5000 µA - 3000 µA 4500 µA
表面贴装 NO NO - NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG - PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 UPPER UPPER - UPPER UPPER
Base Number Matches 1 1 - 1 1

 
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