Fast Page DRAM Module, 256KX9, 85ns, CMOS, SIMM-30
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SIMM |
| 包装说明 | SIMM, SIM30 |
| 针数 | 30 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N30 |
| 内存密度 | 2359296 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 30 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | SIMM |
| 封装等效代码 | SIM30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 512 |
| 最大待机电流 | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.202 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | SINGLE |
| Base Number Matches | 1 |
| HB56D25609B-85A | HB56D25609B-10A | HB56D25609A-10A | ADS8699IRUMT | ADT-AN2789-03-C1 | HB56D25609B-12A | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Fast Page DRAM Module, 256KX9, 85ns, CMOS, SIMM-30 | Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 | Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 | 18-Bit, High-Speed, Single-Supply, SAR ADC Data Acquisition System with Programmable, Bipolar Input Ranges | 909 Rahway Avenue | Fast Page DRAM Module, 256KX9, 120ns, CMOS, SIMM-30 |
| 零件包装代码 | SIMM | SIMM | SIMM | - | - | SIMM |
| 包装说明 | SIMM, SIM30 | SIMM, SIM30 | , SIP30,.2 | - | - | SIMM, SIM30 |
| 针数 | 30 | 30 | 30 | - | - | 30 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | - | - | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | - | EAR99 |
| 访问模式 | FAST PAGE | FAST PAGE | FAST PAGE | - | - | FAST PAGE |
| 最长访问时间 | 85 ns | 100 ns | 100 ns | - | - | 120 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH | - | - | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | - | - | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XSMA-N30 | R-XSMA-N30 | R-XSMA-T30 | - | - | R-XSMA-N30 |
| 内存密度 | 2359296 bit | 2359296 bit | 2359296 bit | - | - | 2359296 bit |
| 内存集成电路类型 | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE | FAST PAGE DRAM MODULE | - | - | FAST PAGE DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 9 | 9 | 9 | - | - | 9 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | - | - | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | - | - | 1 |
| 端子数量 | 30 | 30 | 30 | - | - | 30 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | - | - | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | - | - | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | - | - | 70 °C |
| 组织 | 256KX9 | 256KX9 | 256KX9 | - | - | 256KX9 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - | - | 3-STATE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | - | UNSPECIFIED |
| 封装等效代码 | SIM30 | SIM30 | SIP30,.2 | - | - | SIM30 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | - | - | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | - | Not Qualified |
| 刷新周期 | 512 | 512 | 512 | - | - | 512 |
| 最大待机电流 | 0.003 A | 0.003 A | 0.003 A | - | - | 0.003 A |
| 最大压摆率 | 0.202 mA | 0.17 mA | 0.17 mA | - | - | 0.144 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | - | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | - | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | - | - | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | - | - | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | - | - | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | - | COMMERCIAL |
| 端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | THROUGH-HOLE | - | - | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | - | - | 2.54 mm |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - | - | SINGLE |
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