HB56D25609B-10A概述

Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS, SIMM-30

HB56D25609B-10A规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SIM30
针数	30
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N30
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	9
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	30
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SIM30
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	512
最大待机电流	0.003 A
最大压摆率	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	2.54 mm
端子位置	SINGLE
Base Number Matches	1

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HB56D25609B-10A相似产品对比

	HB56D25609B-10A	HB56D25609B-85A	HB56D25609A-10A	ADS8699IRUMT	ADT-AN2789-03-C1	HB56D25609B-12A
描述	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS, SIMM-30	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 85ns, CMOS, SIMM-30	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 100ns, CMOS, SIMM-30	18-Bit, High-Speed, Single-Supply, SAR ADC Data Acquisition System with Programmable, Bipolar Input Ranges	909 Rahway Avenue	Fast Page DRAM Module, 256KX9, 120ns, CMOS, SIMM-30
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	-	-	SIMM
包装说明	SIMM, SIM30	SIMM, SIM30	, SIP30,.2	-	-	SIMM, SIM30
针数	30	30	30	-	-	30
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	-	-	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-	-	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	-	-	FAST PAGE
最长访问时间	100 ns	85 ns	100 ns	-	-	120 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH	-	-	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	-	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N30	R-XSMA-N30	R-XSMA-T30	-	-	R-XSMA-N30
内存密度	2359296 bit	2359296 bit	2359296 bit	-	-	2359296 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	FAST PAGE DRAM MODULE	-	-	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度	9	9	9	-	-	9
功能数量	1	1	1	-	-	1
端口数量	1	1	1	-	-	1
端子数量	30	30	30	-	-	30
字数	262144 words	262144 words	262144 words	-	-	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	-	-	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	-	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	-	-	70 °C
组织	256KX9	256KX9	256KX9	-	-	256KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	-	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	-	UNSPECIFIED
封装等效代码	SIM30	SIM30	SIP30,.2	-	-	SIM30
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	-	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	-	-	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	Not Qualified
刷新周期	512	512	512	-	-	512
最大待机电流	0.003 A	0.003 A	0.003 A	-	-	0.003 A
最大压摆率	0.17 mA	0.202 mA	0.17 mA	-	-	0.144 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	-	-	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	-	-	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	-	-	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	-	-	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	-	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE	-	-	NO LEAD
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	-	-	2.54 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-	-	SINGLE

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