ALD1721EDAMXXXX放大器基础信息：
ALD1721EDAMXXXX是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为,
ALD1721EDAMXXXX放大器核心信息：
ALD1721EDAMXXXX的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.002 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，ALD1721EDAMXXXX的标称压摆率有0.7 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，ALD1721EDAMXXXX增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为700 kHz。
ALD1721EDAMXXXX的标称供电电压为2.5 V，其对应的标称负供电电压为-2.5 V。而其供电电压上限为13.2 VALD1721EDAMXXXX的输入失调电压为90 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
ALD1721EDAMXXXX的相关尺寸：
ALD1721EDAMXXXX拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。共有针脚：8
ALD1721EDAMXXXX放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T8。ALD1721EDAMXXXX封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。ALD1721EDAMXXXX封装引脚的形式有：IN-LINE。
其端子形式有：THROUGH-HOLE。
ALD1721EDAMXXXX放大器基础信息：
ALD1721EDAMXXXX是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为,
ALD1721EDAMXXXX放大器核心信息：
ALD1721EDAMXXXX的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。他的最大平均偏置电流为0.002 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，ALD1721EDAMXXXX的标称压摆率有0.7 V/us。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，ALD1721EDAMXXXX增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为700 kHz。
ALD1721EDAMXXXX的标称供电电压为2.5 V，其对应的标称负供电电压为-2.5 V。而其供电电压上限为13.2 VALD1721EDAMXXXX的输入失调电压为90 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
ALD1721EDAMXXXX的相关尺寸：
ALD1721EDAMXXXX拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。共有针脚：8
ALD1721EDAMXXXX放大器其他信息：
其温度等级为：MILITARY。其对应的的JESD-30代码为：R-CDIP-T8。ALD1721EDAMXXXX封装的材料多为CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED。而其封装形状为RECTANGULAR。ALD1721EDAMXXXX封装引脚的形式有：IN-LINE。
其端子形式有：THROUGH-HOLE。
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ALD [Advanced Linear Devices] |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | , |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.002 µA |
| 标称共模抑制比 | 83 dB |
| 最大输入失调电压 | 90 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T8 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -2.5 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 0.7 V/us |
| 供电电压上限 | 13.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 700 kHz |
| Base Number Matches | 1 |
| ALD1721EDAMXXXX | ALD1721EPAXXXX | ALD1721ESAXXXX | ALD1721DAMXXXX | ALD1721PAXXXX | ALD1721SAXXXX | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifier, 1 Func, 90uV Offset-Max, CMOS, CDIP8 | Operational Amplifier, 1 Func, 90uV Offset-Max, CMOS, PDIP8 | Operational Amplifier, 1 Func, 90uV Offset-Max, CMOS, PDSO8 | Operational Amplifier, 1 Func, 150uV Offset-Max, CMOS, CDIP8 | Operational Amplifier, 1 Func, 150uV Offset-Max, CMOS, PDIP8 | Operational Amplifier, 1 Func, 150uV Offset-Max, CMOS, PDSO8 |
| 厂商名称 | ALD [Advanced Linear Devices] | ALD [Advanced Linear Devices] | ALD [Advanced Linear Devices] | ALD [Advanced Linear Devices] | ALD [Advanced Linear Devices] | ALD [Advanced Linear Devices] |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | SOIC | DIP | DIP | SOIC |
| 针数 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.002 µA | 0.00024 µA | 0.00024 µA | 0.002 µA | 0.00024 µA | 0.00024 µA |
| 标称共模抑制比 | 83 dB | 83 dB | 83 dB | 83 dB | 83 dB | 83 dB |
| 最大输入失调电压 | 90 µV | 90 µV | 90 µV | 150 µV | 150 µV | 150 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T8 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 | R-CDIP-T8 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -2.5 V | -2.5 V | -2.5 V | -2.5 V | -2.5 V | -2.5 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 70 °C | 70 °C | 125 °C | 70 °C | 70 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 0.7 V/us | 0.7 V/us | 0.7 V/us | 0.7 V/us | 0.7 V/us | 0.7 V/us |
| 供电电压上限 | 13.2 V | 13.2 V | 13.2 V | 13.2 V | 13.2 V | 13.2 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 标称均一增益带宽 | 700 kHz | 700 kHz | 700 kHz | 700 kHz | 700 kHz | 700 kHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | - | - |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
