H5PS5162FLFR-C4,H5PS5162FLFR-C4 pdf中文资料,H5PS5162FLFR-C4引脚图,H5PS5162FLFR-C4电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> H5PS5162FLFR-C4

H5PS5162FLFR-C4: 产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84; 产品类别存储存储; 文件大小1022KB，共39页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

H5PS5162FLFR-C4概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84

H5PS5162FLFR-C4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA63,9X11,32
针数	84
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	4,8
JESD-30 代码	R-XZMA-N203
长度	13 mm
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	84
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA63,9X11,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	4,8
最大待机电流	0.008 A
最大压摆率	0.32 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

H5PS5162FLFR-C4相似产品对比

	H5PS5162FLFR-C4	H5PS5162FFR-E3	H5PS5162FFR-S5	H5PS5162FLFR-Y5	H5PS5162FLFR-S5	H5PS5162FFR-Y5	H5PS5162FLFR-S6	H5PS5162FLFR-S6I	H5PS5162FLFR-E3	H5PS5162FLFR-E3I
描述	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84,	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84	DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84,
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
包装说明	TFBGA, BGA63,9X11,32	TFBGA, BGA63,9X11,32	TFBGA, BGA63,9X11,32	TFBGA, BGA63,9X11,32	TFBGA, BGA63,9X11,32	TFBGA, BGA63,9X11,32	TFBGA, BGA63,9X11,32	FBGA, BGA84,9X15,32	TFBGA, BGA63,9X11,32	FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	compliant	compliant	unknown	compliant	compliant	compliant	compli
最长访问时间	0.5 ns	0.6 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.45 ns	0.4 ns	0.4 ns	0.6 ns	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	266 MHz	200 MHz	400 MHz	333 MHz	400 MHz	333 MHz	400 MHz	400 MHz	200 MHz	200 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
JESD-30 代码	R-XZMA-N203	R-XZMA-N203	R-XZMA-N203	R-XZMA-N203	R-XZMA-N203	R-XZMA-N203	R-XZMA-N203	R-PBGA-B84	R-XZMA-N203	R-PBGA-B84
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16	16
端子数量	84	84	84	84	84	84	84	84	84	84
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16	32MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	TFBGA	FBGA	TFBGA	FBGA
封装等效代码	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA63,9X11,32	BGA84,9X15,32	BGA63,9X11,32	BGA84,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	GRID ARRAY, FINE PITCH	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
连续突发长度	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8	4,8
最大待机电流	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A	0.008 A
最大压摆率	0.32 mA	0.32 mA	0.34 mA	0.32 mA	0.34 mA	0.32 mA	0.34 mA	0.34 mA	0.32 mA	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	YES	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	ZIG-ZAG	BOTTOM	ZIG-ZAG	BOTTOM
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	-	BGA	-
针数	84	84	84	84	84	84	84	-	84	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	-
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	-
长度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm	-	13 mm	-
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	-	1	-
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	-	1	-
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	-	1.2 mm	-
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	-	YES	-
最大供电电压 (Vsup)	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V	-	1.9 V	-
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	-	1.7 V	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	-
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	-	8 mm	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	-	-	-	-

H5PS5162FLFR-C4

H5PS5162FLFR-C4概述

H5PS5162FLFR-C4规格参数

H5PS5162FLFR-C4相似产品对比

推荐资源