电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

H5PS5162FLFR-S5

产品描述DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84
产品类别存储    存储   
文件大小1022KB,共39页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

H5PS5162FLFR-S5概述

DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84

H5PS5162FLFR-S5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA63,9X11,32
针数84
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-XZMA-N203
长度13 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.008 A
最大压摆率0.34 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度8 mm
Base Number Matches1

H5PS5162FLFR-S5相似产品对比

H5PS5162FLFR-S5 H5PS5162FFR-E3 H5PS5162FFR-S5 H5PS5162FLFR-Y5 H5PS5162FFR-Y5 H5PS5162FLFR-C4 H5PS5162FLFR-S6 H5PS5162FLFR-S6I H5PS5162FLFR-E3 H5PS5162FLFR-E3I
描述 DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.45ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PZMA84, 8 X 13 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FPBGA-84 DDR DRAM, 32MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
包装说明 TFBGA, BGA63,9X11,32 TFBGA, BGA63,9X11,32 TFBGA, BGA63,9X11,32 TFBGA, BGA63,9X11,32 TFBGA, BGA63,9X11,32 TFBGA, BGA63,9X11,32 TFBGA, BGA63,9X11,32 FBGA, BGA84,9X15,32 TFBGA, BGA63,9X11,32 FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant unknown compliant compliant compliant compliant compli
最长访问时间 0.45 ns 0.6 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns 0.5 ns 0.4 ns 0.4 ns 0.6 ns 0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK) 400 MHz 200 MHz 400 MHz 333 MHz 333 MHz 266 MHz 400 MHz 400 MHz 200 MHz 200 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
JESD-30 代码 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-XZMA-N203 R-PBGA-B84 R-XZMA-N203 R-PBGA-B84
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16 16 16
端子数量 84 84 84 84 84 84 84 84 84 84
字数 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words 33554432 words
字数代码 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000 32000000
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16 32MX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA TFBGA FBGA TFBGA FBGA
封装等效代码 BGA63,9X11,32 BGA63,9X11,32 BGA63,9X11,32 BGA63,9X11,32 BGA63,9X11,32 BGA63,9X11,32 BGA63,9X11,32 BGA84,9X15,32 BGA63,9X11,32 BGA84,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY GRID ARRAY, FINE PITCH MICROELECTRONIC ASSEMBLY GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
连续突发长度 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8 4,8
最大待机电流 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A
最大压摆率 0.34 mA 0.32 mA 0.34 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.32 mA 0.34 mA 0.34 mA 0.32 mA 0.32 mA
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG BOTTOM ZIG-ZAG BOTTOM
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA BGA BGA BGA - BGA -
针数 84 84 84 84 84 84 84 - 84 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH -
长度 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm 13 mm - 13 mm -
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 - 1 -
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 - 1 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm -
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES - YES -
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V - 1.9 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V - 1.7 V -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
宽度 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm 8 mm - 8 mm -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 - - - -
智能天线技术MIMO在广域无线网络中的应用分析
广域无线网络运营商们正越来越多地涉足移动宽带接入和丰富多媒体业务,这些业务对无线网络提出了极大的挑战,运营商需要对网络容量、用户数据速率、距离和覆盖质量做较大的改进,而多输入多输出(MIMO)智能天线技术提供的潜在性能增益能够有效地解决这些挑战。广域无线网络运营商们正越来越多地采用移动宽带接入策略和丰富多媒体业务策略,这些策略对他们的无线网络提出了极大的挑战。为了建立和维持赢利的商业模型,需要对网...
wuxian RF/无线
谁有TCPMP的文档或知道其组织结构
TCPMP的代码找到是找到了.可以,看了半天,没看懂....一点文档说明都没有.先请给位大人们..指点一下....只要能实现自动往playlist里面添加我想播放的文件即可.找了半天没找到在那里...谢谢了...
batmancar 嵌入式系统
RSL10的低功耗模式
使用BLE的MCU,要想尽量减小电能消耗,必然要使用低功耗模式。因为BLE的无线收发电路工作电流是最大的,但是一般在应用时候工作的时间很短,其余时候处于关闭状态。于是当CPU不需要活动的时候,就要尽可能减小CPU、总线、RAM等常规部件的电流,主要通过关闭相关的时钟。然后,当需要无线功能工作的时候,由定时器将系统唤醒。  RSL10有两种低功耗模式:Standby 和 Sleep. 注意!这跟常见...
cruelfox 安森美和安富利物联网创新设计大赛
假前调休是种怎样的体验
不知道从什么时候开始有调休这一说的,感觉最近几年放假之前都有碰到调休,每次放假前的最后一天调休都有想翘班的冲动。各位调休的时候公司都是什么福利啊?有没有不同的经历...
jjffomg 聊聊、笑笑、闹闹
北京公司长期招聘 Linux kernel/BSP developer/testers
某北京嵌入式企业现长期招聘以下开发测试人员,基本要求:3年以上LINUX内核开发或测试经验,正规本科以上毕业。真诚期待热爱嵌入式行业的有识之士加盟,为极具实力者提供极有竞争力的待遇。有意者请联系:duzimopinglan@hotmail.com, feifei1977@163.comCommon requirements:+ BS/MS in Computer Science or Electr...
1a2b3c Linux与安卓
超宽带EMI滤波器的设计
1.引言 近十几年来,作为微波实验基础设施的屏蔽室,其应用的频率范围不断扩展,频率高端已由1GHz增加到18GHz,甚至 40GHz,预计未来的趋势还会增加到60GHz,甚至100GHz。为保证屏蔽室在整个适用频段范围的屏蔽效能,即不因电源线或信号线的引入而使干扰信号也被引入或引出屏蔽室,这就要求屏蔽室的电源滤波器和信号滤波器在同样的频段范围具有规定的插入损耗。 文中介绍的超宽带EMI滤波器在频率...
fighting 模拟电子

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 273  854  1012  1101  1686 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved