Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS61LPS102418A-250TQLI

文档预览

IS61LPS102418A-250TQLI: 产品描述Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100; 产品类别存储存储; 文件大小370KB，共35页; 制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI ); 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

IS61LPS102418A-250TQLI概述

Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100

IS61LPS102418A-250TQLI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100
JESD-609代码	e3
长度	20 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	100
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX18
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP
封装等效代码	QFP100,.63X.87
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.125 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

IS61VPS25672A IS61LPS25672A

IS61VPS51236A IS61LPS51236A

IS61VPS102418A IS61LPS102418A

256K x 72, 512K x 36, 1024K x 18

18Mb SYNCHRONOUS PIPELINED,

SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth

expansion and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for PBGA package

• Power Supply

LPS: V

3.3V + 5%, V

DDQ

3.3V/2.5V + 5%

VPS: V

2.5V + 5%, V

DDQ

2.5V + 5%

• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-ball PBGA, 165-ball

PBGA, and 209-ball (x72) packages

• Lead-free available

MAY 2010

DESCRIPTION

The

ISSI

IS61LPS/VPS51236A, IS61LPS/VPS102418A,

and IS61LPS/VPS25672A are high-speed, low-power syn-

chronous static RAMs designed to provide burstable, high-

performance memory for communication and networking

applications. The IS61LPS/VPS51236A is organized as

524,288 words by 36 bits, the IS61LPS/VPS102418A is

organized as 1,048,576 words by 18 bits, and the IS61LPS/

VPS25672A is organized as 262,144 words by 72 bits.

Fabricated with

ISSI

's advanced CMOS technology, the

device integrates a 2-bit burst counter, high-speed SRAM

core, and high-drive capability outputs into a single mono-

lithic circuit. All synchronous inputs pass through regis-

ters controlled by a positive-edge-triggered single clock

input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by

the rising edge of the clock input. Write cycles can be one

to four bytes wide as controlled by the write control inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

The byte write operation is performed by using the byte

write enable (BWE) input combined with one or more

individual byte write signals (BWx). In addition, Global

Write (GW) is available for writing all bytes at one time,

regardless of the byte write controls.

Bursts can be initiated with either

ADSP

(Address Status

Processor) or

ADSC

(Address Status Cache Controller)

input pins. Subsequent burst addresses can be generated

internally and controlled by the

ADV

(burst address

advance) input pin.

The mode pin is used to select the burst sequence order,

Linear burst is achieved when this pin is tied LOW.

Interleave burst is achieved when this pin is tied HIGH or

left floating.

FAST ACCESS TIME

Symbol

Parameter

Clock Access Time

Cycle Time

Frequency

250

2.6

250

200

3.1

200

Units

MHz

Copyright © 2010 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any

published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774

Rev. N

02/12/2010

IS61LPS102418A-250TQLI相似产品对比

	IS61LPS102418A-250TQLI	IS61VPS102418A-200TQ	IS61LPS25672A-250B1L	IS61VPS102418A-200TQI	IS61LPS51236A-200B2LI	IS61VPS102418A-250B2
描述	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100, LEAD FREE, TQFP-100	1MX18 CACHE SRAM, 3.1ns, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 256KX72, 2.6ns, CMOS, PBGA209, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-209	1MX18 CACHE SRAM, 3.1ns, PQFP100, TQFP-100	Cache SRAM, 512KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-119
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合	符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	QFP	QFP	BGA	QFP	BGA	BGA
包装说明	LQFP, QFP100,.63X.87	TQFP-100	BGA, BGA209,11X19,40	TQFP-100	BGA, BGA119,7X17,50	BGA, BGA119,7X17,50
针数	100	100	209	100	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	2.6 ns	3.1 ns	2.6 ns	3.1 ns	3.1 ns	2.6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	250 MHz	200 MHz	250 MHz	200 MHz	200 MHz	250 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PBGA-B209	R-PQFP-G100	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e3	e0	e1	e0	e1	e0
长度	20 mm	20 mm	22 mm	20 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	18	18	72	18	36	18
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	209	100	119	119
字数	1048576 words	1048576 words	262144 words	1048576 words	524288 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	256000	1000000	512000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	256KX72	1MX18	512KX36	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LQFP	LQFP	BGA	LQFP	BGA	BGA
封装等效代码	QFP100,.63X.87	QFP100,.63X.87	BGA209,11X19,40	QFP100,.63X.87	BGA119,7X17,50	BGA119,7X17,50
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	FLATPACK, LOW PROFILE	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	240	260	NOT SPECIFIED
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.95 mm	1.6 mm	3.5 mm	3.5 mm
最大待机电流	0.125 A	0.11 A	0.11 A	0.125 A	0.125 A	0.11 A
最小待机电流	3.14 V	2.38 V	3.14 V	2.38 V	3.14 V	2.38 V
最大压摆率	0.5 mA	0.425 mA	0.45 mA	0.475 mA	0.475 mA	0.45 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	2.625 V	3.465 V	2.625 V	3.465 V	2.625 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	2.375 V	3.135 V	2.375 V	3.135 V	2.375 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	2.5 V	3.3 V	2.5 V	3.3 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	TIN SILVER COPPER	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	BALL	GULL WING	BALL	BALL
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	1 mm	0.65 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	BOTTOM	QUAD	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	10	30	40	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
湿度敏感等级	3	-	3	-	3	3
Base Number Matches	1	1	1	1	-	-

推荐资源

Fast Charger For NICAD Batteries

2011电赛--专科--三道题--简析: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:55 编辑 2011电赛专科三道题相对于往届是比较简单的，但是其每一题都有关键技术点波形存储与回放的技术关键点在于一个特殊的要求-----功耗小于50mW， ......; xu__changhua 电子竞赛

ADC14L040分辨率与精度求教: 关于ADC14L040芯片，14BitADC,我想请教下，分辨率与精度具体关系。附件为其规格书，麻烦大神给予讲解 ...; 刘木木模拟电子

仿真出现的问题，求解答！！: 有的逻辑在时序仿真时输出就有波形，而在功能仿真时没有波形输出，什么原因呢？ ...; xujiangyu0619 FPGA/CPLD

MSP430程序升级方式探讨: 对MSP430系列单片机进行编程的方式有以下3种：利用JTAG接口，利用BSL固件和利用用户自定义的升级固件。由于利用自定义升级固件进行程序升级的方式比较灵活，且用途广泛，因此本文将对其作重点介 ......; tiankai001 微控制器 MCU

DE1-SOC如何更新uboot和kernel: 编译出来的uboot和uImage/zImage如何更新到SD卡上面了？看了下SD卡有个fat32分区，上面有设备树和zImage，还有/dev/sdb3,第3个分区是文件系统。但是找不到uboot放在哪里了啊？怎么和AM335x ......; gongjian32 FPGA/CPLD

南华大学黄智伟备战2013电子设计竞赛选择ADC和DAC电压基准的一些考虑: 本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:44 编辑南华大学黄智伟备战2013电子设计竞赛选择ADC和DAC电压基准的一些考虑因为数据转换系统的精度非常依赖于由内部或者外部直流(DC)电压基准 ......; 黄智伟电子竞赛

基于Nios II的MRI脊柱图像分割系统

一. 设计概述　　1. 设计意图　　迅速发展的医学影像技术不断的推动现代医学进步，CT、MRI、PET广泛地应用与临床诊断分析，其作用已经从人体组织器官解剖结构的非侵入检查和可视化，发展成一种用于手术计划和仿真、手术导航、放疗计划和跟踪病灶变化的基本工具，从医学图象中分割出解剖结构并构造出形状地集合表达。　　MR脊柱图像分割的研究对于医学图象的计算机辅助识别及神经病理学的临...[详细]
英飞凌首超意法瑞萨工业份额排名第一

　　据市场调研公司Semicast最近发表的研究报告，英飞凌（Infineon）首次在工业市场排名第一，超过了意法半导体（ST）和瑞萨（Renesas）科技。　　据这项反映2007年市场状况的研究报告，英飞凌的市场份额从上一年的6.4%上升到7.5%。意法半导体的份额则从7.8%降至7.0%。瑞萨科技的市场份额从5.4%提高到6.5%。德州仪器（TI）的市场从5.7%上升到6.3%，但它的排...[详细]
高频RFID与超高频RFID的技术应用比较

随着以Gen2为代表的超高频技术正式成为ISO 18000-6C标准，RFID技术在托盘和货箱上的应用日趋成熟，RFID标签用于单品识别提上日程，在下一个里程碑上是超高频还是高频，引起了全球RFID业界的广泛关注。高频与超高频高频RFID标签典型工作频率为13.56MHz，一般以无源为主，标签与阅读器进行数据交换时，标签必须位于阅读器天线辐射的近场区内。高频标签的阅读距离一般情况下小于1...[详细]
北航教授:超高频RFID关键技术需突破

射频识别（RFID）是一种利用射频技术实现的非接触式自动识别技术，它具有体积小、容量大、寿命长、可重复使用等特点，可支持快速读写、非可视识别、移动识别、多目标识别、定位及长期跟踪管理，因此在物流、制造、零售等领域都拥有巨大的市场。在我国RFID技术已经成功应用于铁路列车管理、危险物品管理、动物管理等场合。而超高频RFID是我国相关部门和专家最关注的RFID技术，是今年863重大专项,也是各大...[详细]
NEC设长春分公司主营车用功率半导体

　　为进一步强化车载半导体的销售业务，NEC电子全资子公司日电电子(中国)有限公司日前在吉林省长春市成立分公司，并以技术支持为中心展开营销活动。此次新设立的长春分公司是继NEC电子中国2005年在上海、深圳和成都设立分公司后的第四个分公司。长春分公司成立后，包括NEC电子(中国)北京总部及香港日电电子有限公司在内，NEC电子在中国的营销网点共将达到6个。　　长春分公司成立初期主要以车载用微控...[详细]
欲攻手机芯片市场破除高通垄断成关键

　　2006年，英特尔在耗费了6年的时间和约50亿美元的资金投入后，最终放弃了手机芯片市场。时隔两年，英特尔缩小了PC芯片，使手持机具有可以与PC相媲美的处理能力，一款名为凌动的芯片成为英特尔重返手机市场的最新一次尝试。　　成功打造了PC产业链的英特尔，在这样短的时间内做出如此重大的战略转变，足以说明手机市场对其巨大的吸引力。那么，英特尔重返手机芯片市场的深刻内涵是什么？它又能否重新锻造出...[详细]
未来可挽救生命或改善生命质量的新技术

　　毫无疑问，科学注定将改善并丰富人类的生命体验。微机电系统(MEMS)、微流体技术、纳米技术、实验室级芯片(lab-on-a-chip)器件、数字信号处理器(DSP)、可植入基因芯片和机器人等所有这些技术都将被整合在一起以捍卫我们的健康。它促成了一个技术新纪元的到来，其中，电子工程师、化学家和化学工程师、生物学家和生物工程师、医生、伦理学家、物理学家和机械工程师携手并肩，共襄改善生命质量这一...[详细]
对FPGA设计进行编程并不困难

　　　　　　最新的C语言工具可让不精通硬件开发的您快速完成算法密集型应用的设计。　　硬件设计者已经开始在高性能DSP的设计中采用FPGA技术，因为它可以提供比基于PC或者单片机的解决方法快上10-100倍的运算量。以前，对硬件设计不熟悉的软件开发者们很难发挥出FPGA的优势，而如今基于C语言的方法可以让软件开发者毫不费力的将FPGA的优势发挥得淋漓尽致。这些基于C语言的开发工具可以比基于H...[详细]
纳米生物传感器的研制初露曙光

　　由于微小生物电子传感器的问世，现在医生很快就会通过复制或改善人类嗅觉系统的方式，用气味来诊断各种疾病的早期症状。这项新的跨学科技术是由欧盟委员会未来科技部“信息社会科技项目”出资，经西班牙、法国和意大利科学家共同开发测试，最终在天然嗅觉器官的基础上产生出“电子鼻子”。这种“电子鼻子”不仅可以应用于医疗保健行业，还能应用于农业、工业、环保和安全等领域。 “电子鼻子”工程协调员...[详细]
全球半导体研发支出增长8%达492亿美元

　　据市场调研机构IC Insight公布的“半导体提供商在线数据战略评估”新的数据分析显示，今年第一季度全球半导体行业的研究开发支出将从去年的100亿美元增长12%达到111亿美元。半导体研究开发支出在半导体销售收入中的百分比将上升为17.5，而去年一季度全球半导体研究开发支出在销售收入中的百分比为16.4。　　调查公司表示，去年在全球半导体市场，完整芯片制造商（IDM）、无工厂模式（fa...[详细]
台湾媒体称马英九暗示开放12吋晶圆厂“登陆”

　　马英九10日抛出扩大开放晶圆厂登陆想法。他表示，美国半导体大厂英特尔公司，去年宣布成立大陆12吋晶圆90纳米制程的生产工厂，如果美国可以容许英特尔到大陆去，“我相信我们进一步开放应该是合理、也是必要的政策”。　　据台湾《联合报》报道，马英九昨天在接见美商应用材料公司全球总裁史宾林特，马英九说，台湾半导体晶圆代工产业是世界龙头，IC设计所占比例名列前茅，封装测试也是全球第一，因此应用材料公...[详细]
手机芯片厂商寄望发货量在四季度反弹

就当前手机市场而言，全球范围内的几家手机制造商，包括诺基亚、三星电子、LG电子在内，今年二季季末手机发货量增长都明显放缓。二季度手机发货量放缓，可能成为积蓄力量的理由，但有部分手机芯片厂商认为，这对于眼下的第三季度并非是件好事，他们称，来自客户的反馈信息显示，今年第三季度全球手机市场发货量将低于5%，而在往年，这一比例通常高达20%。手机芯片供应商表示，目前他们对手机厂商的三季度库存尚不...[详细]
3-D存储器芯片堆栈标准化有望替代DDR内存

　　由3D-IC联盟发起的存储器互连标准（IMIS，IntimateMemoryInterconnectStandard）最近宣布其用于3-D堆栈存储器芯片的官方标准。　　该联盟的发起成员TezzaronSemiconductorCorp.(Naperville,Ill.)和Ziptronix,Inc.(Morrisville,N.C.)已着手开发采用IMIS端口的存储器芯片，预期将在200...[详细]
画中画技术在车载娱乐系统中的应用(图)

　　随着汽车产业的发展，汽车信息系统的复杂性和信息密度在日益上升，显示器不再仅仅是基本的集中仪表显示，而是要满足越来越详细和多样化的车内信息显示需求。汽车显示系统已经从传统的纯音频，如MP3、CD演变成了集成GPS导航、影音娱乐的综合显示系统。显示的内容通常包括：GPS地图信息、DVD播放、数字广播电视和倒车画面等。对于如此多的显示信息，通常需要配备多个显示器，或者用一个视频开关在不同信号间进行...[详细]
未来发展新动力：光伏太阳能汽车是希望

　　画面是我们在“31号停车场”上铺设的SolarMagic赛车道。车道上停放的两辆高尔夫球车都在车顶安装设了先进的光伏太阳能电池板。停在左方的黄色赛车采用传统的太阳能技术，而停在右方的蓝色赛车采用美国国家半导体公司的SolarMagic技术。车道上搭建了几个拱门架，在架下有太阳投射的阴影。两条车道完全相同，拱门架下格子图案的阴影也相同。　　当高尔夫球车进入车道时，我们看到车上的电池板慢慢进...[详细]

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多