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HY5S2A6CLF-B: 产品描述Synchronous DRAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54; 产品类别存储存储; 文件大小336KB，共23页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY5S2A6CLF-B概述

Synchronous DRAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54

HY5S2A6CLF-B规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	BGA
包装说明	FBGA, BGA54,9X9,32
针数	54
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	9 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B54
长度	10.5 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	54
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	8MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.0005 A
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8.3 mm
Base Number Matches	1

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HY5S2A6C(L/S)F / HY5S26CF

4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The Hynix Low Power SDRAM is suited for non-PC application which use the batteries such as PDAs,

2.5G and 3G cellular phones with internet access and multimedia capabilities, mini-notebook, handheld

PCs.

The Hynix HY5S2A6CF is a 134,217,728bit CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory. It

is organized as 4banks of 2,097,152x16.

The Low Power SDRAM provides for programmable options including CAS latency of 1, 2, or 3, READ

or WRITE burst length of 1, 2, 4, 8, or full page, and the burst count sequence(sequential or interleave).

And the Low Power SDRAM also provides for special programmable options including Partial Array Self

Refresh of a quarter bank, a half bank, 1bank, 2banks, or all banks, Temperature Compensated Self

Refresh of 15, 45, 70, or 85 degrees C. A burst of Read or Write cycles in progress can be terminated

by a burst terminate command or can be interrupted and replaced by a new burst Read or Write com-

mand on any cycle(This pipelined design is not restricted by a 2N rule).

Deep Power Down Mode is a additional operating mode for Low Power SDRAM. This mode can achieve

maximum power reduction by removing power to the memory array within each SDRAM. By using this

feature, the system can cut off alomost all DRAM power without adding the cost of a power switch and

giving up mother-board power-line layout flexibility.

FEATURES

•

Standard SDRAM Protocol

Internal 4bank operation

Voltage : VDD = 1.8V, VDDQ = 1.8V

LVCMOS compatible I/O Interface

Low Voltage interface to reduce I/O power

Low Power Features ( HY5S26CF series can’t support these features)

- PASR(Partial Array Self Refresh)

- TCSR(Temperature Compensated Self Refresh)

- Deep Power Down Mode

CAS latency of 1, 2, or 3

Packages : 54ball, 0.8mm pitch FBGA

-25 ~ 85C Operation

•

128M SDRAM ORDERING INFORMATION

Part Number

HY5S2A6C(L/S)F-S

HY5S26CF-S

HY5S2A6C(L/S)F-B

HY5S26CF-B

Clock

CAS

Frequency Latency

100MHz

66Mhz

Organization

4banks x 2Mb x 16

Interface

LVCMOS

Package

54ball FBGA

* HY5xxxxxx-B Series can support 40Mhz CL1 and 33Mhz CL1.

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.9 / Sep. 02

HY5S2A6CLF-B相似产品对比

	HY5S2A6CLF-B	HY5S2A6CLF-S	HY5S2A6CF-S	HY5S2A6CSF-B	HY5S2A6CF-B	HY5S2A6CSF-S	HY5S26CF-S
描述	Synchronous DRAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 9ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PBGA54, 8.30 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	FBGA, BGA54,9X9,32	FBGA, BGA54,9X9,32	FBGA, BGA54,9X9,32	FBGA, BGA54,9X9,32	FBGA, BGA54,9X9,32	FBGA, BGA54,9X9,32	FBGA, BGA54,9X9,32
针数	54	54	54	54	54	54	54
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	9 ns	7 ns	7 ns	9 ns	9 ns	7 ns	7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	66 MHz	100 MHz	100 MHz	66 MHz	66 MHz	100 MHz	100 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54	R-PBGA-B54
长度	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm	10.5 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	54	54	54	54	54	54	54
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16	8MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA
封装等效代码	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32	BGA54,9X9,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
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连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A
最大压摆率	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8.3 mm	8.3 mm	8.3 mm	8.3 mm	8.3 mm	8.3 mm	8.3 mm
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	-	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)	SK Hynix(海力士)
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-

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