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APT20GN60SDQ1

产品描述High Speed PT IGBT
文件大小153KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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APT20GN60SDQ1概述

High Speed PT IGBT

APT20GN60SDQ1相似产品对比

APT20GN60SDQ1 APT20GN60BDQ1 APT20GN60SDQ1G
描述 High Speed PT IGBT High Speed PT IGBT High Speed PT IGBT
是否无铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 符合
厂商名称 - Microsemi Microsemi
Reach Compliance Code - unknow compli
最大集电极电流 (IC) - 40 A 40 A
集电极-发射极最大电压 - 600 V 600 V
门极发射器阈值电压最大值 - 6.5 V 6.5 V
门极-发射极最大电压 - 30 V 30 V
最高工作温度 - 175 °C 175 °C
极性/信道类型 - N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) - 136 W 136 W
表面贴装 - NO YES
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