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K4S51323LF-EL1H

产品描述Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90
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文件大小144KB,共12页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准
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K4S51323LF-EL1H概述

Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90

K4S51323LF-EL1H规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间7 ns
最大时钟频率 (fCLK)111 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B90
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度32
端子数量90
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度-25 °C
组织16MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA90,9X15,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.28 mA
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

K4S51323LF-EL1H相似产品对比

K4S51323LF-EL1H K4S51323LF-EC75 K4S51323LF-EF1H K4S51323LF-EF1L K4S51323LF-EF75 K4S51323LF-EC1L K4S51323LF-MF75 K4S51323LF-MC75
描述 Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90 Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90 Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
最长访问时间 7 ns 5.4 ns 7 ns 7 ns 5.4 ns 7 ns 5.4 ns 5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK) 111 MHz 133 MHz 111 MHz 111 MHz 133 MHz 111 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
交错的突发长度 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8 1,2,4,8
JESD-30 代码 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90 R-PBGA-B90
内存密度 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit 536870912 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 32 32 32 32 32 32 32 32
端子数量 90 90 90 90 90 90 90 90
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C -25 °C
组织 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32 16MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32 BGA90,9X15,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192 8192
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.28 mA 0.3 mA 0.28 mA 0.24 mA 0.3 mA 0.24 mA 0.3 mA 0.3 mA
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 1

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