K4S51323LF-EC75,K4S51323LF-EC75 pdf中文资料,K4S51323LF-EC75引脚图,K4S51323LF-EC75电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4S51323LF-EC75

K4S51323LF-EC75: 产品描述Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90; 产品类别存储存储; 文件大小144KB，共12页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/; 标准

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K4S51323LF-EC75概述

Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90

K4S51323LF-EC75规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
内存密度	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
端子数量	90
字数	16777216 words
字数代码	16000000
最高工作温度	70 °C
最低工作温度	-25 °C
组织	16MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
Base Number Matches	1

K4S51323LF-EC75相似产品对比

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描述	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90	Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90	Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	5.4 ns	7 ns	7 ns	7 ns	5.4 ns	7 ns	5.4 ns	5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	111 MHz	111 MHz	111 MHz	133 MHz	111 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
内存密度	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit	536870912 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32	32	32
端子数量	90	90	90	90	90	90	90	90
字数	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words	16777216 words
字数代码	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000	16000000
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C	-25 °C
组织	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32	16MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA	FBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192	8192
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.3 mA	0.28 mA	0.28 mA	0.24 mA	0.3 mA	0.24 mA	0.3 mA	0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER	OTHER
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

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