MTW36N10E概述

36A, 100V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247

MTW36N10E规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Motorola ( NXP )
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	36 A
最大漏极电流 (ID)	36 A
最大漏源导通电阻	0.058 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W
最大功率耗散 (Abs)	150 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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MTW36N10E相似产品对比

	MTW36N10E	MTW4N80E	MTG4N100E	MTW15N25E	MTG7N60E
描述	36A, 100V, 0.058ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247	4A, 800V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218	15A, 250V, 0.28ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247	Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	DRAIN	DRAIN	ISOLATED	DRAIN	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小漏源击穿电压	100 V	800 V	1000 V	250 V	600 V
最大漏极电流 (ID)	36 A	4 A	4 A	15 A	7 A
最大漏源导通电阻	0.058 Ω	3 Ω	2 Ω	0.28 Ω	0.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247	TO-247	TO-218	TO-247	TO-218
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
元件数量	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
功耗环境最大值	150 W	150 W	70 W	150 W	70 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	-
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
最大漏极电流 (Abs) (ID)	36 A	4 A	4 A	15 A	-
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W	70 W	150 W	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
Base Number Matches	-	1	1	1	-

推荐资源

DT890C+／CM 3920型3 1/2数字万用表电路

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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