2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66
2 A, 150 V, NPN, 硅, 功率晶体管, TO-66
参数名称 | 属性值 |
最大集电极电流 | 2 A |
最大集电极发射极电压 | 150 V |
端子数量 | 2 |
状态 | Active |
壳体连接 | COLLECTOR |
结构 | SINGLE |
最小直流放大倍数 | 25 |
jedec_95_code | TO-66 |
jesd_30_code | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 |
最大工作温度 | 175 Cel |
包装材料 | METAL |
包装形状 | ROUND |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT |
larity_channel_type | NPN |
wer_dissipation_max__abs_ | 40 W |
qualification_status | COMMERCIAL |
sub_category | Other Transistors |
表面贴装 | NO |
端子涂层 | NOT SPECIFIED |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
额定交叉频率 | 10 MHz |
vcesat_max | 1 V |
2N5050 | 2N5051 | 2N5052 | |
---|---|---|---|
描述 | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 | 2 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
最大集电极电流 | 2 A | 2 A | 2 A |
最大集电极发射极电压 | 150 V | 150 V | 150 V |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
状态 | Active | Active | Active |
壳体连接 | COLLECTOR | COLLECTOR | COLLECTOR |
结构 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流放大倍数 | 25 | 25 | 25 |
jedec_95_code | TO-66 | TO-66 | TO-66 |
jesd_30_code | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 | O-MBFM-P2 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
最大工作温度 | 175 Cel | 175 Cel | 175 Cel |
包装材料 | METAL | METAL | METAL |
包装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
包装尺寸 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
larity_channel_type | NPN | NPN | NPN |
wer_dissipation_max__abs_ | 40 W | 40 W | 40 W |
qualification_status | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
sub_category | Other Transistors | Other Transistors | Other Transistors |
表面贴装 | NO | NO | NO |
端子涂层 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
额定交叉频率 | 10 MHz | 10 MHz | 10 MHz |
vcesat_max | 1 V | 1 V | 1 V |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved