RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NEC(日电) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 0.75 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 3.3 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最高频带 | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F4 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 15000 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| 2SC5509-FB | 2SC5509-T2FB-A | 2SC5509-FB-A | 2SC5509-T2FB | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN, SUPER MINIMOLD, M04, 4 PIN |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NEC(日电) | NEC(日电) | NEC(日电) | NEC(日电) |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 |
| 针数 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量 | 0.75 pF | 0.75 pF | 0.75 pF | 0.75 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最高频带 | L BAND | L BAND | L BAND | L BAND |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-F4 | R-PDSO-F4 | R-PDSO-F4 | R-PDSO-F4 |
| JESD-609代码 | e0 | e6 | e6 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES |
| 端子面层 | TIN LEAD | TIN BISMUTH | TIN BISMUTH | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT | FLAT | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 15000 MHz | 15000 MHz | 15000 MHz | 15000 MHz |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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