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K3N4U1000D-DC120

产品描述MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
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文件大小52KB,共3页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K3N4U1000D-DC120概述

MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

K3N4U1000D-DC120规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数42
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-PDIP-T42
长度52.42 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量42
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

K3N4U1000D-DC120相似产品对比

K3N4U1000D-DC120 K3N4V1000D-DC100 K3N4V1000D-GC10 K3N4V1000D-GC100 K3N4U1000D-DC12 K3N4U1000D-GC12 K3N4U1000D-GC120 K3N4V1000D-DC10
描述 MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP SOIC SOIC DIP SOIC SOIC DIP
包装说明 DIP, DIP, SOP, SOP44,.63 SOP, DIP, DIP42,.6 SOP, SOP44,.63 SOP, DIP, DIP42,.6
针数 42 42 44 44 42 44 44 42
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 100 ns 100 ns 100 ns 120 ns 120 ns 120 ns 100 ns
备用内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
JESD-30 代码 R-PDIP-T42 R-PDIP-T42 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDIP-T42 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDIP-T42
长度 52.42 mm 52.42 mm 28.5 mm 28.5 mm 52.42 mm 28.5 mm 28.5 mm 52.42 mm
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM MASK ROM
内存宽度 16 16 16 16 16 16 16 16
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 42 42 44 44 42 44 44 42
字数 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16 512KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP SOP SOP DIP SOP SOP DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 3.1 mm 3.1 mm 5.08 mm 3.1 mm 3.1 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 3 V 3 V 3 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3 V 3 V 3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO YES YES NO YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 15.24 mm 15.24 mm 12.6 mm 12.6 mm 15.24 mm 12.6 mm 12.6 mm 15.24 mm
厂商名称 - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
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