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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> AB1A4M-AZ
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AB1A4M-AZ

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小105KB，共6页
制造商NEC(日电)
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AB1A4M-AZ概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN

AB1A4M-AZ规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TO-92
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.7 A
集电极-发射极最大电压25 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)135
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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DATA SHEET
COMPOUND TRANSISTOR
AB1 SERIES
on-chip resistor NPN silicon epitaxial transistor
For mid-speed switching
FEATURES
• Current drive available up to 0.7 A
• On-chip bias resistor
• Low power consumption during drive
PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)
AB1 SERIES LISTS
Products
AB1A4A
AB1L2Q
AB1A3M
AB1F3P
AB1J3P
AB1L3N
AB1A4M
R
1
(KΩ)
−
0.47
1.0
2.2
3.3
4.7
10
R
2
(KΩ)
10
4.7
1.0
10
10
10
10
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
°
Parameter
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base voltage
Collector current (DC)
Collector current (Pulse)
Base current (DC)
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C(DC)
I
C(pulse)
*
I
B(DC)
P
T
T
j
T
stg
Ratings
30
25
10
0.7
1.0
0.02
750
150
−55
to +150
Unit
V
V
V
A
A
A
mW
°C
°C
* PW
≤
10 ms, duty cycle
≤
50 %
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please
confirm that this is the latest version.
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for
availability and additional information.
Document No. D10836EJ2V0DS00 (2nd edition)
Date Published April 2002 N CP(K)
Printed in Japan
©
2002
1998

AB1A4M-AZ相似产品对比

AB1A4M-AZ AB1J3P-AZ AB1L2Q-AZ AB1F3P-AZ AB1L3N-AZ AB1A3M-AZ AB1A4A-AZ
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, SC-43B, 3 PIN
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数 3 3 3 3 3 3 3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 3.03 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.12 BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC) 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A 0.7 A
集电极-发射极最大电压 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V 25 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 135 135 135 135 135 135 135
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -
厂商名称 - NEC(日电) NEC(日电) - NEC(日电) NEC(日电) NEC(日电)

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