Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5DU56822FTP-J

文档预览

HY5DU56822FTP-J: 产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小703KB，共28页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY5DU56822FTP-J概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

HY5DU56822FTP-J规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6
长度	22.225 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.194 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.01 A
最大压摆率	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

文档预览

下载PDF文档

全文
预览

256Mb DDR SDRAM

HY5DU56822F(L)TP

HY5DU561622F(L)TP

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.0 /Nov. 2007

HY5DU56822F(L)TP

HY5DU561622F(L)TP

PIN DESCRIPTION

TYPE

DESCRIPTION

Clock: CK and /CK are differential clock inputs. All address and control input signals are

sampled on the crossing of the positive edge of CK and negative edge of /CK. Output

(read) data is referenced to the crossings of CK and /CK (both directions of crossing).

Clock Enable: CKE HIGH activates, and CKE LOW deactivates internal clock signals, and

device input buffers and output drivers. Taking CKE LOW provides PRECHARGE POWER

DOWN and SELF REFRESH operation (all banks idle), or ACTIVE POWER DOWN (row

ACTIVE in any bank). CKE is synchronous for POWER DOWN entry and exit, and for SELF

REFRESH entry. CKE is asynchronous for SELF REFRESH exit, and for output disable. CKE

must be maintained high throughout READ and WRITE accesses. Input buffers, excluding

CK, /CK and CKE are disabled during POWER DOWN. Input buffers, excluding CKE are dis-

abled during SELF REFRESH. CKE is an SSTL_2 input, but will detect an LVCMOS LOW level

after VDD is applied.

Chip Select: Enables or disables all inputs except CK, /CK, CKE, DQS and DM. All com-

mands are masked when CS is registered high. CS provides for external bank selection on

systems with multiple banks. CS is considered part of the command code.

Bank Address Inputs: BA0 and BA1 define to which bank an ACTIVE, Read, Write or PRE-

CHARGE command is being applied.

Address Inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column address

and AUTO PRECHARGE bit for READ/WRITE commands, to select one location out of the

memory array in the respective bank. A10 is sampled during a precharge command to

determine whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW) or all banks (A10

HIGH). If only one bank is to be precharged, the bank is selected by BA0, BA1. The

address inputs also provide the op code during a MODE REGISTER SET command. BA0 and

BA1 define which mode register is loaded during the MODE REGISTER SET command (MRS

or EMRS).

Command Inputs: /RAS, /CAS and /WE (along with /CS) define the command being

entered.

Input Data Mask: DM is an input mask signal for write data. Input data is masked when DM

is sampled HIGH along with that input data during a WRITE access. DM is sampled on both

edges of DQS. Although DM pins are input only, the DM loading matches the DQ and DQS

loading. For the x16, LDM corresponds to the data on DQ0-Q7; UDM corresponds to the

data on DQ8-Q15.

Data Strobe: Output with read data, input with write data. Edge aligned with read data,

centered in write data. Used to capture write data. For the x16, LDQS corresponds to the

data on DQ0-Q7; UDQS corresponds to the data on DQ8-Q15.

Data input / output pin: Data bus

Power supply for internal circuits and input buffers.

Power supply for output buffers for noise immunity.

Reference voltage for inputs for SSTL interface.

No connection.

CK, /CK

Input

CKE

Input

/CS

Input

BA0, BA1

Input

A0 ~ A12

Input

/RAS, /CAS, /WE

Input

(LDM,UDM)

Input

DQS

(LDQS,UDQS)

DDQ

SSQ

REF

I/O

Supply

Rev. 1.0 /Nov. 2007

HY5DU56822FTP-J相似产品对比

	HY5DU56822FTP-J	HY5DU56822FLTP-H	HY5DU561622FTP-K
描述	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66	66	66
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.7 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6	e6	e6
长度	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	16
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	66	66	66
字数	33554432 words	33554432 words	16777216 words
字数代码	32000000	32000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX8	32MX8	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192
座面最大高度	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm
自我刷新	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最大压摆率	0.21 mA	0.19 mA	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
Base Number Matches	1	1	1

推荐资源

一首老歌 -- 得意的笑: 好像最近的生活节奏比较快, 弦绷得比较紧. 想起一首老歌, 有段时间很喜欢它的歌词. 凡事别太钻牛角尖, take it easy.... :loveliness: 人生本来就是一出戏恩恩怨怨何必太在意名 ......; shuangshumei 聊聊、笑笑、闹闹

请问RLink和STICK有命令行接口吗？: 我们要在产品线上大量烧写MCU（使用RLink和STICK），软件工具是STVP。因为量大，STVP显示的烧写结果不能很醒目的提示操作员，人在惯性下很容易把烧写不成功的产品放行，而且每次更换器 ......; dangl stm32/stm8

诚聘嵌入式软件工程师: 猎头职位【上海】岗位职责： 1.移植核心算法到嵌入式芯片平台，保证算法效果的一致性； 2.根据嵌入式芯片的体系结构特性对算法进行异构设计 3.最大化利用嵌入式芯片的运算能力，深度优化核 ......; ff318421749 求职招聘

sim300模块，1块钱起拍！: 132589 132590 132591 东西是二手，放那里之前是好的，未受潮等。 1元底价，加价幅度2元。谁出最高给谁。数量一块。邮费实收。...; dontium 淘e淘

【平头哥RVB2601创意应用开发】基于阿里云的温湿度监控系统: 一、项目背景通过农业物联网产品为6000万大棚种植户节省30%人工，提升20%收益。中国是世界上最大的大棚种植国家，但种植方式还停留在纯人工的传统模式上，尤其控温类操作，极其耗时。随着大 ......; zhengyad 玄铁RISC-V活动专区

nRF24L01资料: nRF24L01资料...; gen1005 无线连接

450Wh/kg！融捷集团发布第二代硫化物全固态电池

当固态电池行业仍在为电动汽车的“终极方案”进行漫长的技术马拉松时，部分企业已开始寻找更切近的商业化落地场景。近日，融捷集团旗下的融捷能源科技有限公司（以下简称“融捷能源”）正式推出其第二代全固态硫化物电池，能量密度达到450 Wh/kg。固态电池迈向实处，三赛道精准卡位 2025年，全球固态电池产业进入了一个关键的“去芜存菁”阶段。在经历多轮资本与产业的热潮起伏后，市场正...[详细]
应用案例 | 当机械臂抓取物料时，如何精准拿捏尺度？

随着工业自动化行业的不断发展，可以看到越来越多的智能设备采用灵活、高效、精准的机械臂完成定位抓取、组装等。最常见的是使用机器视觉应用，机器视觉将目标物体的图像信息通过光学设备和传感器获取后，将其转化为数字化信息（坐标位置和角度），并依据控制单元指导，使机器可以有效地执行任务。但这次的任务中，我们选择了更经济的激光位移测距方案来实现机械臂的定位抓取，本期小明就来分享一下具体的应用情况~...[详细]
什么电机可以用可控硅调速？

可以使用可控硅调速的电机非常之多，各种行业基本都可用到。各种类比如：风机、风扇、水泵、交流电机、直流电机、力矩电机、单相、三相、高压、低压都可以用到。唯一不同的是，各种场合要求不一样，其控制也千差万别。上海沐天机电设备有限公司是一家专业生产可控硅直流调速，可控硅力矩电机控制器的公司，公司产品全面，种类繁多，单可控硅调速器的产品就有以下几类： 1.单相直流电机调速：ZKS-0.3KW/D...[详细]
Beacon在可穿戴设备中的应用：安卓&蓝牙第二篇

　　可穿戴技术正在腾飞，应用形式日新月异，从智能手表到各式运动手环，甚至还有智能假发!而Bluetooth Smart就在这一切变革的中心。这是Android Wear操作系统系列文章的第二篇，将帮助开发者探索如何利用Android Wear为用户打造最佳的“腕上体验”(当然也包括耳部、头上、脖子上佩戴的可穿戴设备体验)。第一篇中，小码哥讲述了打造Android Wear体验所涉及的标准和延展安...[详细]
MIPI 物理层的演进：从移动设备到多元应用的高速数据接口革新

在摄像头与显示系统中，数据接口对高性能与低功耗的需求正推动技术持续迭代。MIPI D-PHY 与 MIPI C-PHY 的演进轨迹，清晰展现了从移动行业起源到汽车、医疗、工业视觉及扩展现实（XR）等多元场景的渗透。这些技术突破不仅是对更高分辨率、帧率及实时图像处理催生的数据速率激增的回应，更构建了一套兼顾效率与兼容性的底层架构。 MIPI D-PHY：从速率提升到功耗革新的渐进式突破 ...[详细]
Arm聘请亚马逊 AI 芯片负责人，加速自主芯片研发计划

据路透社援引知情人士消息，英国半导体设计公司Arm已聘请亚马逊（NASDAQ:AMZN）人工智能芯片部门主管拉米・辛诺（Rami Sinno），以推进其自主研发完整芯片的计划。拉米・辛诺在亚马逊自研 AI 芯片的开发中扮演了核心角色，主导了 Trainium 和 Inferentia 芯片的研发。这两款芯片专为大型人工智能应用的构建与运行而设计，在亚马逊的 AI 生态中发挥着重要作用。此次...[详细]
电动汽车的电池养护需要注意哪些方面的细节

电池作为电动汽车的核心，关心车辆的用车和养车等，而车辆的运行都是靠电池所产生电能来保证的，对于电池而言电池的使用和养护来说就是很重要的一个环节了，对于电动汽车来说，电动汽车电池养护需要注意哪些细节？首先对于车辆来说，定期的按照要求对电池进行检查和保养，使用的时候避免过渡电池出现过渡放电现象，在行车的时候保持良好的驾驶习惯，尽量避免猛踩加速，对于电池而言，猛加速会使得电池内部的电极之间形成瞬...[详细]
是德科技第三季度业绩亮眼，多领域增长强劲并上调全年展望

核心提要：是德科技（Keysight）第三季度业绩表现抢眼，营收与每股收益均超预期，订单量稳步增长。公司在人工智能（AI）、航空航天与国防、半导体等多个领域展现强劲发展势头，并基于此再次上调全年业绩展望，彰显出其在技术创新与市场拓展方面的卓越实力。第三季度业绩超预期，核心指标全面向好是德科技第三季度交出了一份令人瞩目的成绩单。该季度公司营收达 14 亿美元，同比增长 11%；每股收...[详细]
传动轴的类型有哪些？

　　汽车传动是汽车行驶的基础，汽车传动系统的作用将发动机输出的动力传递给驱动轮，使汽车产生运动。汽车传动系统由离合器、变速器、传动轴、减速器、差速器、半轴等组成，全轮驱动汽车还包括分动器。根据动力来源、传动方式汽车传动系统分为四种。　　　　传动轴的类型有哪些　　传动轴按传递扭矩分类：有微型车传动轴；轻型车传动轴；中型车传动轴；重型车传动轴；工程车传动轴。　　按角速率分刚性万向节又可分为不...[详细]
铜编织线软连接和铜绞线软连接哪个好

铜编织线软连接和铜绞线软连接哪个好-在选择铜线软连接的时候，人们总会纠结于是用铜编织线软连接还是铜绞线软连接，两者除了外观上的区别之外，使用过程中也表现出了不一样的特点，但好在它们的作用是一样的，所以应用对象基本都是相似的。铜编织线软连接我们先来了解铜编织线软连接，它是经多根细圆铜丝经过交叉编织成一条扁平的铜编织带，形状是扁平带状。而铜绞线虽然也是由多根细圆丝加工而成，但他不是交叉编织...[详细]
6分钟充电跑千里！固态电池量产提速，燃油车的补能优势要没了？

给电动车充6分钟电，就能跑1000公里！这不是科幻片里的场景，而是国轩高科金石固态电池带来的现实。过去，“充电两小时，续航四百里”让多少电动车车主犯难，如今固态电池的突破，正一点点撕掉电动车的“补能慢”标签。固态电池的厉害，体现在材料创新上。它用硫化物电解质替代了传统液态电池的电解液，就像给离子搭建了一条高速通道，让离子电导率提升了60%，导电速度快多了。负极采用三维介孔硅材料，就像...[详细]
汽车红外热成像补上辅助驾驶的最后一块安全拼图

2025年的汽车辅助驾驶行业，正站在规模化落地与安全升级的双重关口——北京、武汉等城市已出台L3级自动驾驶权责划分法规，城市NOA（导航辅助驾驶）功能加速渗透，消费者对更安全、更可靠驾驶体验的需求达到新高度。但一个被数据和政策反复验证的安全黑洞始终横亘在前：夜间及恶劣天气场景下的行车风险，仍是全球交通事故的主因。 01 政策与数据双重警示： ...[详细]
适用于运动控制应用的强大设计工具

消费电子、家电、工业和汽车市场对电机控制复杂解决方案的需求不断增加。根据应用的不同，使用多种电机类型;最常见的包括交流感应电机、永磁同步电机、无刷直流电机和开关磁阻电机等较新的设计。事实上，许多以前由恒速、电源供电感应电机主导的应用，现在需要复杂的变速控制。在某些应用中，例如压缩机、风扇和泵，立法和消费者对更高运行效率的需求推动了这种对复杂性的提高需求。在其他地方，过程控制、机器人和机床中的高性...[详细]
电动汽车快充技术的原理是什么，会对电池造成损伤吗

快充作为车辆快速补充电量的一种方法和方式，它是电动汽车的核心部分，最重要的不可或缺的部分。说起快充都不陌生，快速充电其实简单的来理解，将大电流在特定的时间里面输送到车辆的动力电池里面去，由于直流充电桩采用三相四线制供电，可以提供足够的功率，输出的电压和电流调整范围大，可以实现快充的要求。根据快充的原理来说，实际上面快充就是把通过电网的电经过充电机传递之后，通过与电动汽车上动力电池的管理系统...[详细]
新能源汽车的种类很多，哪种更适合家用

对于新能源汽车保有量也是越来越多，在选择上也是可以进行多重选择，根据新能源汽车的分为可以分为混动和纯电动，而混动的类型又有轻混，油混和插电式混动等，面对新能源汽车来说，我们该如何去选择一款适合我们的家用车呢？对于这三个车型来说的话，还是根据自身的用车场景去进行，首先以纯电动汽车来说，在一线限行和限牌的城市来说，纯电动汽车出行是不受影响的，从车辆购车和用车成本上来说，纯电动汽车的用车和购车成...[详细]

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多