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HY5DU56822FLTP-H: 产品描述DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小703KB，共28页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/; 标准

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HY5DU56822FLTP-H概述

DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66

HY5DU56822FLTP-H规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6
长度	22.225 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.194 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	2,4,8
最大待机电流	0.01 A
最大压摆率	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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256Mb DDR SDRAM

HY5DU56822F(L)TP

HY5DU561622F(L)TP

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 1.0 /Nov. 2007

HY5DU56822F(L)TP

HY5DU561622F(L)TP

PIN DESCRIPTION

TYPE

DESCRIPTION

Clock: CK and /CK are differential clock inputs. All address and control input signals are

sampled on the crossing of the positive edge of CK and negative edge of /CK. Output

(read) data is referenced to the crossings of CK and /CK (both directions of crossing).

Clock Enable: CKE HIGH activates, and CKE LOW deactivates internal clock signals, and

device input buffers and output drivers. Taking CKE LOW provides PRECHARGE POWER

DOWN and SELF REFRESH operation (all banks idle), or ACTIVE POWER DOWN (row

ACTIVE in any bank). CKE is synchronous for POWER DOWN entry and exit, and for SELF

REFRESH entry. CKE is asynchronous for SELF REFRESH exit, and for output disable. CKE

must be maintained high throughout READ and WRITE accesses. Input buffers, excluding

CK, /CK and CKE are disabled during POWER DOWN. Input buffers, excluding CKE are dis-

abled during SELF REFRESH. CKE is an SSTL_2 input, but will detect an LVCMOS LOW level

after VDD is applied.

Chip Select: Enables or disables all inputs except CK, /CK, CKE, DQS and DM. All com-

mands are masked when CS is registered high. CS provides for external bank selection on

systems with multiple banks. CS is considered part of the command code.

Bank Address Inputs: BA0 and BA1 define to which bank an ACTIVE, Read, Write or PRE-

CHARGE command is being applied.

Address Inputs: Provide the row address for ACTIVE commands, and the column address

and AUTO PRECHARGE bit for READ/WRITE commands, to select one location out of the

memory array in the respective bank. A10 is sampled during a precharge command to

determine whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW) or all banks (A10

HIGH). If only one bank is to be precharged, the bank is selected by BA0, BA1. The

address inputs also provide the op code during a MODE REGISTER SET command. BA0 and

BA1 define which mode register is loaded during the MODE REGISTER SET command (MRS

or EMRS).

Command Inputs: /RAS, /CAS and /WE (along with /CS) define the command being

entered.

Input Data Mask: DM is an input mask signal for write data. Input data is masked when DM

is sampled HIGH along with that input data during a WRITE access. DM is sampled on both

edges of DQS. Although DM pins are input only, the DM loading matches the DQ and DQS

loading. For the x16, LDM corresponds to the data on DQ0-Q7; UDM corresponds to the

data on DQ8-Q15.

Data Strobe: Output with read data, input with write data. Edge aligned with read data,

centered in write data. Used to capture write data. For the x16, LDQS corresponds to the

data on DQ0-Q7; UDQS corresponds to the data on DQ8-Q15.

Data input / output pin: Data bus

Power supply for internal circuits and input buffers.

Power supply for output buffers for noise immunity.

Reference voltage for inputs for SSTL interface.

No connection.

CK, /CK

Input

CKE

Input

/CS

Input

BA0, BA1

Input

A0 ~ A12

Input

/RAS, /CAS, /WE

Input

(LDM,UDM)

Input

DQS

(LDQS,UDQS)

DDQ

SSQ

REF

I/O

Supply

Rev. 1.0 /Nov. 2007

HY5DU56822FLTP-H相似产品对比

	HY5DU56822FLTP-H	HY5DU56822FTP-J	HY5DU561622FTP-K
描述	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66	DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-66
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66	66	66
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.7 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	166 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6	e6	e6
长度	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	8	8	16
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	66	66	66
字数	33554432 words	33554432 words	16777216 words
字数代码	32000000	32000000	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX8	32MX8	16MX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260
电源	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	8192
座面最大高度	1.194 mm	1.194 mm	1.194 mm
自我刷新	YES	YES	YES
连续突发长度	2,4,8	2,4,8	2,4,8
最大待机电流	0.01 A	0.01 A	0.01 A
最大压摆率	0.19 mA	0.21 mA	0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
Base Number Matches	1	1	1

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