Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1 Element
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | DISK BUTTON, O-CXDB-X4 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 标称电路换相断开时间 | 500 µs |
| 配置 | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 2000 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 350 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2.5 V |
| 最大维持电流 | 350 mA |
| JESD-30 代码 | O-CXDB-X4 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最大漏电流 | 150 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 17000 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 最大通态电流 | 925000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | DISK BUTTON |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流 | 2010 A |
| 断态重复峰值电压 | 3800 V |
| 重复峰值反向电压 | 3800 V |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UNSPECIFIED |
| 触发设备类型 | SCR |
| Base Number Matches | 1 |
| T731N38TOH | T731N42TOF | T731N44TOH | T731N44TOHXPSA1 | T731N43TOH | T731N45TOH | T731N39TOH | T731N41TOH | T731N42TOH | T731N40TOH | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 3800V V(DRM), 3800V V(RRM), 1 Element | The T731N Phase Control Thyristor discs are assembled in high reliable, robust and hermetic sealed ceramic housings with a dia of 75mm and a height of 26mm. | SCR MODULE 4400V 2010A DO200AC | Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4300V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4500V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 3900V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 1280000mA I(T), 4100V V(DRM) | Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4200V V(DRM), 4200V V(RRM), 1 Element | Silicon Controlled Rectifier, 2010A I(T)RMS, 925000mA I(T), 4000V V(DRM), 4000V V(RRM), 1 Element | |
| Reach Compliance Code | compliant | - | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 标称电路换相断开时间 | 500 µs | - | 500 µs | - | 500 µs | 500 µs | 500 µs | 500 µs | 500 µs | 500 µs |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 2000 V/us | - | 2000 V/us | - | 2000 V/us | 2000 V/us | 2000 V/us | 2000 V/us | 2000 V/us | 2000 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 350 mA | - | 350 mA | 350 mA | 350 mA | 350 mA | 350 mA | 350 mA | 350 mA | 350 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 2.5 V | - | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 最大维持电流 | 350 mA | - | 350 mA | - | 350 mA | 350 mA | 350 mA | 350 mA | 350 mA | 350 mA |
| JESD-609代码 | e3 | - | - | - | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 |
| 最大漏电流 | 150 mA | - | 150 mA | - | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 200 mA | 150 mA | 150 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 17000 A | - | 17000 A | - | 18000 A | 18000 A | 18000 A | 18000 A | 17000 A | 17000 A |
| 最大通态电流 | 925000 A | - | 925000 A | - | 1280000 A | 1280000 A | 1280000 A | 1280000 A | 925000 A | 925000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C | - | 125 °C | - | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 断态重复峰值电压 | 3800 V | - | 4400 V | 4400 V | 4300 V | 4500 V | 3900 V | 4100 V | 4200 V | 4000 V |
| 端子面层 | MATTE TIN | - | - | - | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN | MATTE TIN |
| 触发设备类型 | SCR | - | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR | SCR |
| Base Number Matches | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 是否Rohs认证 | - | - | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | - | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 225 | 225 | 225 | 225 | - | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | - | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - |
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